[发明专利]基板处理装置和隔热板

说明书

本发明提供一种基板处理装置和隔热板。基板处理装置即使反复进行处理，也能够对基板均匀地实施使用了自由基的处理。工艺模块(13)具备：处理容器(28)，其收容晶圆(W)；分隔板(37)，其配置于该处理容器(28)的内部的等离子体生成空间(P)与晶圆(W)之间；隔热板(48)，其配置于分隔板(37)与晶圆(W)之间，分隔板(37)选择性地使在等离子体生成空间(P)中生成的等离子体中的自由基朝向晶圆(W)透过，隔热板(48)以与晶圆(W)相对的方式配置，隔热板(48)由金属形成，与处理容器(28)连接。

技术领域

本发明涉及使用等离子体中的自由基来对基板实施处理的基板处理装置和适用于该基板处理装置的隔热板。

背景技术

近年来，提出了使用等离子体中的自由基来对作为基板的半导体晶圆(以下简称为“晶圆”。)实施化学蚀刻处理(参照例如专利文献1。)。

这样的实施化学蚀刻处理的装置具备板状的离子捕集器，该板状的离子捕集器在处理容器内介于等离子体与晶圆之间，对等离子体中的离子朝向晶圆移动进行抑制。离子捕集器具有沿着厚度方向贯通的许多狭缝，利用由多个狭缝构成的迷宫阻止各向异性地移动的离子的移动，而使各向同性地移动的自由基透过。其结果，在面对晶圆的处理空间大致仅存在自由基，自由基、导入到处理空间的处理气体由于与晶圆的表层反应而对晶圆实施化学蚀刻处理。

一般而言，等离子体的分布易于受到磁场、电场的形态的影响，在例如处理容器是圆筒形状的情况下，存在等离子体的浓度在处理容器的中心轴线附近上升的倾向。因而，在面对等离子体的离子捕集器中，与中心部碰撞的离子较多，若反复进行例如化学蚀刻处理，则很多热蓄积于离子捕集器的中心部，作为结果，来自离子捕集器的中心部的朝向处理空间、晶圆的辐射热量增加。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2013/175897号说明书

发明内容

发明要解决的问题

不过，自由基的分布强烈受到热分布的影响，因此，因反复化学蚀刻处理而使来自离子捕集器的中心部的辐射热量增加，若产生处理空间中的热分布的偏差，则处理空间中的自由基的分布也产生偏差，其结果，产生无法均匀地对晶圆实施化学蚀刻处理这样的问题。

本发明的目的在于提供一种即使反复处理、也能够对基板均匀地实施使用了自由基的处理的基板处理装置和隔热板。

用于解决问题的方案

为了达成上述目的，本发明的基板处理装置具备：处理容器，其收容基板；分隔构件，其配置于在该处理容器内产生的等离子体与所述基板之间，所述分隔构件选择性地使所述等离子体中的自由基朝向所述基板透过，该基板处理装置的特征在于，具备配置于所述分隔构件与所述基板之间的隔热板，所述隔热板以与所述基板相对的方式配置，所述隔热板由金属或硅形成，与所述处理容器连接。

为了达成上述目的，本发明的隔热板配置于分隔构件与基板之间，该分隔构件配置于等离子体与所述基板之间，选择性地使所述等离子体中的自由基朝向所述基板透过，其特征在于，所述隔热板以与所述基板相对的方式配置，所述隔热板由金属或硅形成。

发明的效果