[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201711218871.0 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN107819058B | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 林文禹;叶孟欣;罗云明;曾建尧;张中英 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/32 |
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| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
1.发光二极管，依次包括： N型导通层、超晶格层、发光层、P型电子阻挡层和P型导通层，其特征在于：所述超晶格层位于所述N型导通层和发光层之间，其由周期结构堆叠而成，其中至少一个周期结构包含第一子层、第二子层和第三子层，其中所述第一子层的能隙Eg1、第二子层的能隙Eg2和第三子层的能隙Eg3的关系为Eg1<Eg2<Eg3，且第三子层的能隙Eg3大于所述电子阻挡层的能隙Eg4。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光层的发光波长为360~420nm。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管的热冷态因子H/C为70%以上。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述超晶格层的每个周期结构包含第一子层、第二子层和第三子层。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述超晶格层的至少三个周期包括所述第一子层、所述第二子层和所述第三子层。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述超晶格层包括至少一个第一种周期结构和至少一个第二种周期结构，所述第一种周期结构包含所述第一子层、所述第二子层和所述第三子层，所述第二种周期结构包含第四子层和第五子层。
7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述第四子层和第五子层的材料选自第一子层、第二子层和第三子层中的两种。
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述超晶格层的至少一个周期结构为InGaN/AlGaN/AlN、GaN/AlGaN/AlN或者InGaN/GaN/AlN。
9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述超晶格的周期结构数为3~30。
10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述超晶格的总厚度为100~3000埃。
11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一子层、第二子层和第三子层的厚度分别为100埃以下。
12.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述周期结构为InGaN/AlGaN/AlN，其中第一子层InxGa1-xN的In组分X为0~20%，第二子层AlYGa1-YN的Al组分Y的取值范围为0~30%。
13.根据权利要求12所述的发光二极管，其特征在于：所述第二子层AlYGa1-YN的Al组分Y是渐变的，每次的变化梯度为1%~5%。
14.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光层为InGaN/AlGaN多量子阱结构。
15.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述超晶格层为非故意掺杂层。
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