[发明专利]一种基于光学临近效应修正减少栅极波动的方法

权利要求书

1.一种基于光学临近效应修正减少栅极波动的方法，应用于光刻工艺中，其特征在于，提供一目标图形，并对所述目标图形的图形边进行分割以形成可移动的图形片段；

包括以下步骤：

步骤S1、对所述目标图形进行模拟曝光以获得所述目标图形的边缘误差；

步骤S2、根据所述边缘误差移动所述图形片段，并在移动后的所述目标图形的尺寸达到一预定值时执行步骤S3；

步骤S3、停止移动所述图形片段，判断移动的所述图形片段是否为间隔终端，并在为所述间隔终端时执行步骤S4；

步骤S4、根据当前的所述图形片段与栅极之间的距离，对移动之后的所述间隔终端进行追加移动；

步骤S5、固定当前的所述图形片段，以形成最终的修正图形。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，当移动后的所述目标图形未达到所述预定值时，执行以下步骤：

步骤A1、根据所述边缘误差继续移动所述图形片段，得到一第一修正图形；

步骤A2、判断所述目标图形的修正次数是否超过一预设值；

若是，则将当前的所述第一修正图形作为最终的所述修正图形；

若否，则将所述目标图形的修正次数加1，并返回步骤S1。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S5中，包括以下步骤：

步骤S51、固定所述图形片段以形成一第二修正图形；

步骤S52、判断所述目标图形的修正次数是否超过一预设值；

若是，则将当前的所述第二修正图形作为最终的所述修正图形；

若否，则将所述目标图形的修正次数加1，并返回步骤S1。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，当移动的所述图形片段非所述间隔终端时，执行以下步骤；

步骤B1、根据当前停止移动的所述图形片段形成一第三修正图形；

步骤B2、判断所述目标图形的修正次数是否超过一预设值；

若是，则将当前的所述第三修正图形作为最终的所述修正图形；

若否，则将所述目标图形的修正次数加1，并返回步骤S1。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标图形为多晶硅层图形，所述栅极表示所述多晶硅层图形和有源区层图形重叠的部分；

对所述目标图形进行追加移动的方法，包括以下步骤：

步骤S41、获取所述间隔终端与所述栅极之间的水平距离；

步骤S42、根据所述水平距离，将所述间隔终端于水平方向向所述目标图形的内部或者所述目标图形的外部提供对应的修正值。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，当所述水平距离大于等于所述多晶硅的2倍的最小线宽值时，将所述间隔终端于水平方向向所述目标图形的外部移动至所述修正值。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，当所述水平距离小于等于所述多晶硅的最小线宽值时，将所述间隔终端于水平方向向所述目标图形的内部移动至所述修正值。

8.根据权利要求5-7中任一所述的方法，其特征在于，所述修正值为10-30nm。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，提供一光学临近效应修正工具，对所述目标图形进行分割以及对所述图形片段的移动以及固定的操作。