[发明专利]一种基于光学临近效应修正减少栅极波动的方法

说明书

本发明提供了一种基于光学临近效应修正减少栅极波动的方法，应用于光刻工艺中，其中，提供一目标图形，并对目标图形的图形边进行分割以形成可移动的图形片段；包括以下步骤：步骤S1、对目标图形进行模拟曝光以获得目标图形的边缘误差；步骤S2、根据边缘误差移动图形片段，并在移动后的目标图形达到一预定值时执行步骤S3；步骤S3、停止移动图形片段，判断移动的图形片段是否为间隔终端，并在为间隔终端时执行步骤S4；步骤S4、根据当前的图形片段与栅极之间的距离，对移动之后的间隔终端进行追加移动；步骤S5、固定当前的图形片段，以形成最终的修正图形。其技术方案的有益效果在于，在修正过程中可有效减小栅极尺寸波动，可提产品性能。

技术领域

本发明涉及半导体制备领域，尤其涉及一种基于光学临近效应修正减少栅极波动的方法。

背景技术

在亚波长微影工艺领域，RET(解析度增强技术)技术已经成为提高图形解析度，增强微影工艺稳定性的重要保证。在不断寻求193nm光刻解析能力极限的过程中，一些193nm微影技术的加强方法比如浸入式光刻，两次曝光技术都已经在半导体制造中得到应用，然而在找到合适根本替代解决方案之前，譬如EUV(远紫外光)实现商业化，OPC OpticalProximity Correction，光学临近修正。)仍然是先进半导体制造所需要的关键技术。

在不断追求图形转移质量的过程中，各种新的OPC技术应运而生，然而在不同的技术节点，OPC技术都受到解析度极限的限制，OPC技术可以优化由于临近效应造成的尺寸变化，改善线端缩短等问题，但仍然无法避免拐角圆化(Corner Rounding)现象。

在不同技术节点微影工艺中，多晶硅层一直都是最为关键的微影层次，不仅因为其设计尺寸在整个技术节点最小，因而在微影工艺中最具挑战性，而且多晶硅层的硅片尺寸浮动影响到产品的性能，因而对多晶硅层的尺寸控制更为严格。

在多数层次的图形转移过程中，拐角圆化不会对产品的性能造成大的影响，然而对于多晶硅层，由于栅极尺寸的一致性会影响产品的性能，因而对于靠近拐角的栅极，必须尽量避免拐角圆化对栅极尺寸的影响，才能减少栅极尺寸波动。

现有的处理方法一般采用MRC(掩模板规则限制)避免OPC过度修正，同时确保避免由于过小的掩模板尺寸导致增加制作难度；

但MRC也会导致修正不足引起修正误差，尤其在线端(Line End)或者间隔终端(Space End)。

图1，图2揭示了两种不同的OPC方法对栅极区域的影响，在图2的OPC结果中，栅极尺寸的一致性得到明显的改善。

掩模板规则限制(Mask Rule Constraint)也是影响OPC精度重要因素，在如图3所示的案例中，栅极区域除了受到拐角圆化效应的影响，掩模板规则限制也导致间隔终端(Space End)存在较大的修正误差，这些OPC结果最终导致栅极尺寸的波动，并影响产品的性能。

发明内容

针对现有技术中对目标图形执行OPC修正存在的上述问题，现提供一种旨在可有效减小栅极尺寸波动，可提产品性能的方法。

具体技术方案如下：

一种基于光学临近效应修正减少栅极波动的方法，应用于光刻工艺中，其中，提供一目标图形，并对所述目标图形的图形边进行分割以形成可移动的图形片段；

包括以下步骤：

步骤S1、对所述目标图形进行模拟曝光以获得所述目标图形的边缘误差；

步骤S2、根据所述边缘误差移动所述图形片段，并在移动后的所述目标图形达到一预定值时执行步骤S3；

步骤S3、停止移动所述图形片段，判断移动的所述图形片段是否为间隔终端，并在为所述间隔终端时执行步骤S4；