[发明专利]极紫外光光刻系统、液滴产生器的靶材供料系统及将靶材连续供料至液滴产生器的系统

说明书

本公开实施例提供极紫外光光刻系统。此系统包含极紫外光扫描模块，极紫外光收集器用于收集极紫外光辐射并将其引导至极紫外光扫描模块，液滴产生器用于产生熔融态金属的液滴，脉冲激光产生器作用于熔融态的金属液滴，以产生作为极紫外光辐射来源的等离子体，以及靶材供料系统。靶材供料系统包含用于容纳金属的容器，加热装置配置为加热容器内的金属至高于金属的熔化温度的温度，以及供料管具有连接至容器的上游端与和连接至液滴产生器的下游端，使得容器与液滴产生器流体连通。

技术领域

本公开实施例涉及光刻系统，且特别涉及极紫外光光刻系统。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit，IC)产业已经历指数型成长。集成电路的材料和设计上的技术发展已经生产好几世代的集成电路，且每一世代都具有比前一世代更小和更复杂的电路。在集成电路发展的过程中当几何尺寸(亦即，使用制造工艺可以产生的最小元件(或线路))减小的同时，功能密度(亦即，每芯片面积的互连装置的的数量)通常也增加。这个尺寸缩减工艺通常通过增加生产效率和降低相关成本而提供许多好处。这样的尺寸缩减也增加了集成电路工艺和制造的复杂度。为了实现这些进展，在集成电路工艺和制造上需要类似的发展。举例而言，执行更高分辨率的光刻工艺的需求愈来愈大。其中一个光刻工艺为极紫外光光刻(extreme ultraviolet lithography，EUVL)。极紫外光光刻采用的扫描器是使用在极紫外光(EUV)区的光，其波长约1nm至100nm。一些极紫外光扫描器提供缩小四倍的投影晒像(projection printing)，其类似于一些光学扫描器，除了极紫外光扫描器使用反射光学，而不是折射光学，亦即使用镜子取代透镜。

因此，虽然现有的光刻技术通常对于其预期的目的已经足够，但是在各个方面还未完全令人满意。

发明内容

本公开的一些实施例提供极紫外光(extreme ultraviolet，EUV)光刻系统。此系统包含极紫外光扫描模块；用于收集极紫外光辐射且将其引导至极紫外光扫描模块的极紫外光收集器；用于产生熔融态金属液滴的液滴产生器；作用于熔融态金属液滴，以产生等离子体作为极紫外光辐射的来源的脉冲激光产生器；以及靶材供料系统。靶材供料系统包含用于容纳金属的容器，加热装置配置为将容器内的金属加热至高于金属的熔化温度的温度，以及供料管，其具有连接至容器的上游端和连接至液滴产生器的下游端，使得容器与液滴产生器流体连通。

本公开的一些实施例也提供液滴产生器的靶材料供料系统，其包含用于容纳熔融态金属的容器；加热装置配置为将容器内的金属加热至高于金属的熔化温度的温度；以及供料管，其具有连接至容器的上游端和连接至液滴产生器的下游端，使得容器与液滴产生器流体连通。

此外，本公开的一些实施例提供将靶材连续供料至液滴产生器的系统。此系统包含用于容纳熔融态金属的第一容器和第二容器；加热装置配置为将第一容器和第二容器内的金属加热至高于金属的熔化温度的温度；阀连接至第一容器和第二容器，且阀至少在第一位置和第二位置之间为可切换的；以及供料管，其具有连接至阀的上游端和连接至液滴产生器的下游端，使得阀与液滴产生器流体连通，其中在第一位置，第一容器与液滴产生器流体连通，且在第二位置，第二容器与液滴产生器流体连通。

附图说明

为了让本公开实施例的各个观点能更明显易懂，以下配合所附附图作详细说明。应该注意，根据产业的标准范例，各个部件(features)未必按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1为具有液滴产生器的极紫外光光刻系统的示意图。

图2为根据本公开的一些实施例的具有靶材供料系统的极紫外光光刻系统的图解示意图。

图3为根据本公开实施例的一些观点，图2的极紫外光光刻系统的靶材供料系统的靶材供料管的一部分的图解示意图。