[发明专利]增强型GaNHEMT的制备方法

权利要求书

1.一种增强型GaN HEMT的制备方法，包括如下步骤：

步骤1：在衬底上用有机金属化学气相沉积的方法依次外延缓冲层、沟道层、势垒层和p型帽层；

步骤2：在所述p型帽层上制备掩膜层；

步骤3：图形化掩膜层，露出栅区部分的p型帽层，形成样品；

步骤4：在样品露出的p型帽层上外延p型层，形成p型栅，即选区二次外延p型栅；

步骤5：去除掩膜层；

步骤6：在p型帽层的两侧向下刻蚀，刻蚀深度到达沟道层内，在沟道层的两侧构成台面，形成台面隔离；

步骤7：在p型栅的两侧的p型帽层上制备源电极和漏电极，退火；

步骤8：在所述p型栅上制备栅电极，形成器件；

步骤9：在器件上制备钝化层，所述钝化层的厚度高于p型栅，并将源电极、漏电极和栅电极区域的钝化层开口，即暴露出源电极、漏电极和栅电极，完成制备。

2.如权利要求1所述的增强型GaN HEMT的制备方法，其中步骤1中所述衬底的材料为Si、蓝宝石、SiC或者GaN。

3.如权利要求1所述的增强型GaN HEMT的制备方法，其中步骤1中所述缓冲层的材料是低温AlN或是低温GaN，厚度为1纳米-5微米。

4.如权利要求1所述的增强型GaN HEMT的制备方法，其中步骤1中所述沟道层的材料为GaN或者AlGaN，厚度为50纳米-10微米。

5.如权利要求1所述的增强型GaN HEMT的制备方法，其中所述势垒层的材料为AlGaN、InAlN、AlN、InN或InGaN，厚度为5纳米-50纳米。

6.如权利要求1所述的增强型GaN HEMT的制备方法，其中所述步骤1中所述p型帽层的材料为p-GaN、p-InGaN、p-AlGaN、组分渐变的p-AlGaN或者组分渐变的p-InGaN，所述p型帽层的厚度为5纳米-50纳米。

7.如权利要求1所述的增强型GaN HEMT的制备方法，其中步骤1中所述p型栅的掺杂浓度为10¹⁶-10²²每立方厘米，所述p型栅的材料为p-GaN、p-InGaN、p-AlGaN、组分渐变的p-AlGaN或者组分渐变的p-InGaN，p型栅的厚度为10纳米-300纳米。

8.如权利要求1所述的增强型GaN HEMT的制备方法，其中步骤2中所述掩膜层的材料为Al₂O₃、SiNO、SiO₂或Si₃N₄，是通过电子束蒸发设备、等离子体化学气相淀积、原子层淀积、化学气相淀积或低压化学气相淀积的方法制备，掩膜层的厚度为10纳米-200纳米。

9.如权利要求1所述的增强型GaN HEMT的制备方法，其中步骤9中所述钝化层的材料为Al₂O₃、SiO₂、HfO₂、HfTiO、ZrO₂、Si₃N₄、SiNO或MgO，是通过PECVD、ALD、CVD或LPCVD的方法制备，其厚度为0-10微米。

10.如权利要求1所述的增强型GaN HEMT的制备方法，其中步骤7中源电极和漏电极的材料为Ti/Al/Ni/Au、Ti/Al/Ti/Au或者Ti/Al/Mo/Au多层金属；退火的温度为800-900摄氏度，退火时间为30-60秒。