[发明专利]一种ESD保护结构

权利要求书

1.一种ESD保护结构，其特征在于，包括：

第一NMOS管，其栅极接一低压电源端；

第二NMOS管，其栅极和源极接地，漏极接所述第一NMOS管的源极；以及

至少一个二极管，串联在一高压输入端与所述第一NMOS管的漏极之间；

所述第一NMOS管、第二NMOS管和至少一个二极管设置在一埋氧层上；

所述第一NMOS管和第二NMOS共同包括一设置在所述埋氧层上的第二P阱区，所述第二P阱区的中间注有第二N+区，两端注有第四N+区，所述第二N+区与第四N+区之间注有第三N+区，其中，所述第二N+区构成所述第一NMOS管的漏极，所述第三N+区同时构成所述第一NMOS管的源极和第二NMOS管的漏极，所述第四N+区构成所述第二NMOS的源极，所述第二N+区与第三N+区之间的P阱上方设有所述第一NMOS的栅极，所述第三N+区与第四N+区之间的P阱上方设有所述第二NMOS的栅极。

2.根据权利要求1所述的ESD保护结构，其特征在于，各所述二极管分别包括一设置在所述埋氧层上的第一P阱区，所述第一P阱区内注有相互隔开的第一P+区和第一N+区，所述第一P+区与第一N+区之间的P阱上方设有伪栅极。

3.根据权利要求1所述的ESD保护结构，其特征在于，所述二极管的数量为两个。