[发明专利]封装结构及芯片结构

说明书

一种封装结构，其包括晶粒、多个第一导电连接件、与晶粒绝缘的第二导电连接件、重布线路层以及导电屏蔽件。晶粒包括主动面、背面以及侧壁，背面相对于主动面，侧壁将主动面连接至背面。第一导电连接件位于晶粒的主动面上，且第一导电连接件电连接至晶粒。第二导电连接件位于晶粒上且位于第一导电连接件旁边。重布线路层位于晶粒上且电连接至第一导电连接件以及第二导电连接件。导电屏蔽件耦合至重布线路层且围绕第二导电连接件以及至少部分的侧壁。晶粒与导电屏蔽件电性绝缘。一种芯片结构也被提出。

技术领域

本发明涉及一种封装结构及芯片结构，尤其涉及一种具有电磁干扰屏蔽(electromagnetic interference shielding；EMI shielding)的封装结构及芯片结构。

背景技术

近几年来，半导体封装技术的发展逐渐朝向体积较小、重量较轻、运作速度较快的产品迈进。然而，电磁干扰(electromagnetic interference；EMI)可能会对半导体封装的运作产生负面的影响，而热量可能会降低半导体封装的效率甚至造成损坏。因此，随着运作速度的增加以及封装尺寸的减小，传统的封装技术在提供具有电磁干扰屏蔽以及散热的半导体封装方面，受到了严重的挑战。

发明内容

本发明提供一种封装结构及芯片结构，其提供了具有可以有效控制电磁干扰的可靠结构。

本发明提供一种封装结构，其包括晶粒、多个第一导电连接件、第二导电连接件、重布线路层以及导电屏蔽件。晶粒包括主动面、背面以及侧壁，背面相对于主动面，侧壁将主动面连接至背面。第一导电连接件位于晶粒的主动面上，且第一导电连接件电连接至晶粒。第二导电连接件位于晶粒上且位于第一导电连接件旁边。第二导电连接件与晶粒电性绝缘。重布线路层位于晶粒上且电连接至第一导电连接件以及第二导电连接件。导电屏蔽件耦合至重布线路层且围绕第二导电连接件以及至少部分的侧壁。晶粒与导电屏蔽件电性绝缘。

本发明提供一种芯片结构，其包括晶粒、多个第一接垫、第二接垫以及多个导电连接件。晶粒具有主动面。第一接垫位于晶粒的主动面上。第二接垫位于晶粒的主动面上并且位于多个第一接垫旁边，第二接垫与晶粒电性绝缘。导电连接件位于晶粒的主动面上，且导电连接件电连接至第一接垫以及第二接垫。晶粒通过第一接垫电连接至导电连接件。

在本发明的一实施例中，晶粒的主动面包括中心区以及围绕中心区的周边区，第一接垫位于中心区中，且第二接垫位于周边区中。

在本发明的一实施例中，芯片结构还包括保护层。保护层暴露出晶粒的主动面，且保护层位于第二接垫以及晶粒的主动面之间，其中保护层将晶粒与第二接垫电性绝缘。

在本发明的一实施例中，芯片结构还包括介电层。介电层位于晶粒的主动面上，且介电层覆盖第一接垫以及连接至第一接垫的部分导电连接件。

在本发明的一实施例中，芯片结构还包括介电层。介电层位于晶粒的主动面上，且介电层位于导电屏蔽件的开口内。

在本发明的一实施例中，芯片结构还包括保护层。保护层位于晶粒以及导电屏蔽件之间，且保护层将晶粒与导电屏蔽件以及第二接垫电性绝缘。

基于上述，由于导电屏蔽件连接至重布线路层且围绕晶粒，所以可以在封装结构以及芯片结构中提供电磁干扰屏蔽的功能。因此，封装结构以及芯片结构可以提升屏蔽效能以及散热，而不会影响结构的可靠性(reliability)。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1A至图1G是依据本发明一实施例的封装结构的制造方法的剖面示意图。

图2是依据本发明一实施例的芯片结构的剖面示意图。

图3A至图3E是依据本发明一实施例的封装结构的制造方法的剖面示意图。