[发明专利]动态随机存取存储器阵列及其版图结构、制作方法

权利要求书

1.一种动态随机存取存储器阵列版图结构，其特征在于，包括配置在半导体衬底中的隔离结构和多个有源区，所述有源区的长度向中心轴在延伸方向延伸；

所述隔离结构配置在所述多个有源区之间；

所述有源区呈阵列式排布并包括多个第一有源区以及多个第二有源区，沿一有源区长度向延伸方向排布的多个所述第一有源区与沿另一有源区长度向延伸方向排布的多个所述第二有源区相平行邻近，并且所述第一有源区与所述第二有源区在同一字线向列区域中呈现交错排布，所述第一有源区的第一宽度小于所述第二有源区的第二宽度。

2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器阵列版图结构，其特征在于，所述第二宽度比所述第一宽度大20％～70％。

3.如权利要求1所述的动态随机存取存储器阵列版图结构，其特征在于，还包括多条字线，配置在所述半导体衬底中，在同一列所述有源区中，两条所述字线分别与所述第一有源区和所述第二有源区相交并穿越所述第一有源区和所述第二有源区。

4.一种动态随机存取存储器阵列，其特征在于，包括：

半导体衬底，在所述半导体衬底中通过隔离结构定义有多个有源区，所述有源区的长度向中心轴在延伸方向延伸，所述有源区呈阵列式排布并包括多个第一有源区以及多个第二有源区，沿一有源区长度向延伸方向排布的多个所述第一有源区与沿另一有源区长度向延伸方向排布的多个所述第二有源区相平行邻近，并且所述第一有源区与所述第二有源区在同一字线向列区域中呈现交错排布，所述第一有源区的第一宽度小于所述第二有源区的第二宽度；及，

多条位线，所述位线包括第一位线和第二位线，皆形成于所述半导体衬底的所述有源区上，并且在同一字线向列区域中，所述第一位线在高度方向上的投影与所述第一有源区相交，所述第二位线在高度方向上的投影与所述第二有源区相交。

5.如权利要求4所述的动态随机存取存储器阵列，其特征在于，所述第二宽度比所述第一宽度大20％～70％。

6.如权利要求4所述的动态随机存取存储器阵列，其特征在于，还包括多条字线，形成在所述半导体衬底中，在同一字线向列区域中，两条所述字线分别与所述第一有源区和所述第二有源区相交并穿越所述第一有源区和所述第二有源区。

7.如权利要求4所述的动态随机存取存储器阵列，其特征在于，还包括：多个接触端，形成于所述半导体衬底的所述有源区上并位于所述位线的两侧。

8.如权利要求7所述的动态随机存取存储器阵列，其特征在于，还包括：多个电容，每个所述电容位于一个所述接触端上。

9.如权利要求4所述的动态随机存取存储器阵列，其特征在于，相邻列中相邻近的两个所述有源区沿着所述有源区的长度向延伸方向共线排布，且在同一条共线上的多个所述有源区的宽度相同，且在相邻条共线之间的多个所述有源区具有不同宽度，使所述位线在高度方向上的投影与所述有源区的中心点相交并且所述位线具有直线延伸的形状。

10.一种动态随机存取存储器阵列的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

形成隔离结构在所述半导体衬底中以定义出多个有源区，所述有源区的长度向中心轴在延伸方向延伸，所述有源区呈阵列式排布并包括多个第一有源区以及多个第二有源区，沿一有源区长度向延伸方向排布的多个所述第一有源区与沿另一有源区长度向延伸方向排布的多个所述第二有源区相平行邻近，并且所述第一有源区与所述第二有源区在同一字线向列区域中呈现交错排布，所述第一有源区的第一宽度小于所述第二有源区的第二宽度；以及，

形成多条位线在所述半导体衬底的所述有源区上，所述多条位线包括第一位线和第二位线，在同一字线向列区域中，所述第一位线在高度方向上的投影与所述第一有源区相交，所述第二位线在高度方向上的投影与所述第二有源区相交。