[发明专利]一种提升TLC闪存编码率的方法在审

专利信息
申请号: 201711227401.0 申请日: 2017-11-29
公开(公告)号: CN108255635A 公开(公告)日: 2018-07-06
发明(设计)人: 许毅;姚兰;郑春阳 申请(专利权)人: 深圳忆联信息系统有限公司
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10
代理公司: 广东广和律师事务所 44298 代理人: 董红海
地址: 518057 广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 纠错算法 编码率 擦除 闪存 动态调整 预先设置 拐点 生命周期 校验数据 擦写 期望
【权利要求书】:

1.一种提升TLC闪存编码率的方法,其特征在于当Block被擦除的次数小于预先设置的擦除拐点次数PE_tr时选择BCH为该Block的BER纠错算法;Block被擦除的次数不小于预先设置的擦写拐点次数PE_tr时选择LDPC为该Block的BER纠错算法。

2.根据权利要求1所述的提升TLC闪存编码率的方法,其特征在于所述拐点次数PE_tr通过采样同一批次的闪存统计获取最优的推荐拐点次数PE_tr,所述PE_tr的获取以保证小于PE_tr是发生的位反转错误都可以通过BCH纠错算法进行恢复,控制器中同时集成了BCH和LDPC两种纠错算法,记录每个Block的擦除次数NN,在写入数据前先判断NN与PE_tr的关系,当NN<PE_tr时,选择BCH为当前写入Block的BER纠错算法;当NN>=PE_tr时,选择LDPC为当前写入Block的BER纠错算法。

3.根据权利要求1所述的提升TLC闪存编码率的方法,其特征在于根据擦除次数与出现BER的关系图,选择最优的推荐拐点次数PE_tr,所述PE_tr的获取以保证小于PE_tr是发生的位反转错误都可以通过BCH纠错算法进行恢复,,同时控制器中同时集成了BCH和LDPC两种纠错算法,记录每个Block的擦除次数NN,在写入数据前先判断NN与PE_tr的关系,当NN<PE_tr时,选择BCH为当前写入Block的BER纠错算法;当NN>=PE_tr时,选择LDPC为当前写入Block的BER纠错算法。

4.根据权利要求3所述的提升TLC闪存编码率的方法,其特征在于选用LDPC纠错算法时动态根据擦除次数NN选择不同校验数据长度的LDPC纠错算法;在NN较小时选择较短的校验数据长度,在NN较大时选择较长的校验数据长度。

5.根据权利要求4所述的提升TLC闪存编码率的方法,其特征在于校验数据长度的选择根据擦除次数与出现BER的关系图计算获取。

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