[发明专利]半导体制造装置有效

专利信息
申请号: 201711227739.6 申请日: 2017-11-29
公开(公告)号: CN108122793B 公开(公告)日: 2021-02-02
发明(设计)人: 山口成德;西村太宏 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 制造 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体制造装置,其进行导线键合,

该半导体制造装置具有:

按压框,其由金属构成,具有开口部,该按压框以从所述开口部使被进行所述导线键合的对象物所具有的连接部露出的方式从上方按压而固定所述对象物;

照明部,其从所述按压框的与所述对象物相反侧的上表面侧对从所述开口部露出的所述连接部进行照明;

位置识别处理装置,其具有照相机,该位置识别处理装置基于所述照相机的拍摄结果对所述连接部的位置进行识别,其中,该照相机从所述按压框的所述上表面侧拍摄由所述照明部照明的所述连接部;以及

键合头,其基于所述位置识别处理装置的针对所述连接部的位置的识别结果,在所述连接部进行所述导线键合,

所述开口部的内壁的在俯视观察中位于所述照明部侧的规定区域是从所述开口部的位于所述按压框的所述上表面侧的开口起倾斜的、与所述照明部的光轴平行的倾斜面。

2.根据权利要求1所述的半导体制造装置,其中,

所述按压框在将所述开口部的位于所述按压框的所述上表面侧的开口包围的区域具有反射抑制部,该反射抑制部抑制从所述照明部射出的光的正反射。

3.根据权利要求2所述的半导体制造装置,

所述反射抑制部是在所述区域涂敷的黑色涂料。

4.根据权利要求2所述的半导体制造装置,

所述反射抑制部是在所述区域设置的陶瓷材料。

5.根据权利要求2所述的半导体制造装置,

所述反射抑制部是表面比所述按压框的所述上表面的除所述区域外的区域粗糙的粗化部。

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