[发明专利]有机发光二极管面板及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光二极管面板，包括：

至少一像素；

其特征在于，该像素包括：

一阳极层，配置于一透明基板上；

一第一绝缘层(insulator)，配置于该阳极层上；

一阴极层，配置于该第一绝缘层上；

一第二绝缘层，配置于该阴极层上；

一第一凹坑，贯穿该第一绝缘层及该第二绝缘层，以暴露该阳极层；

一第二凹坑，贯穿该第二绝缘层，以暴露该阴极层；

一参考电压层，配置在该第一凹坑与该第二凹坑之间；

一空穴注入层，配置于该第一凹坑内，且配置于该阳极层上；

一空穴传输层，配置于该第一凹坑内，且配置于该空穴注入层上；

一电子注入层，配置于该第二凹坑内，且配置于该阴极层上；

一电子传输层，配置于该第二凹坑内，且配置于该电子注入层上；以及

一发光材料层，配置于该电子注入层、该第二绝缘层、该空穴传输层以及该电子传输层上，

其中，该阴极层、该阳极层以及该参考电压层构成三端点有机发光二极管。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管面板，其特征在于，该参考电压层的材料为一金属导体。

3.如权利要求1所述的有机发光二极管面板，其特征在于，该像素更包括：

一薄膜晶体管，包括一闸极、一第一源漏极以及一第二源漏极，其中，该薄膜晶体管的闸极耦接一扫描线，该薄膜晶体管的第一源漏极耦接一数据线，该薄膜晶体管的第二源漏极耦接该参考电压层；以及

一电容，包括一第一端以及一第二端，其中，该电容的第一端耦接该薄膜晶体管的第二源漏极，该电容的第二端耦接一共接电压。

4.如权利要求1所述的有机发光二极管面板，其特征在于，该参考电压层的电压控制透过该发光材料层由该阳极层流向该阴极层的一电流的大小与该电流流过该发光材料层的电流路径。

5.如权利要求1所述的有机发光二极管面板，其特征在于，该发光材料层覆盖该第一凹坑及该第二凹坑。

6.如权利要求1所述的有机发光二极管面板，其特征在于，该发光材料层是混和至少两种不同色的有机发光材料。

7.如权利要求1所述的有机发光二极管面板，其特征在于，该像素更包括：

一低阻抗导体层，配置于该发光材料层上。

8.如权利要求1所述的有机发光二极管面板，其特征在于，该发光材料层更包括：

施体(Donor)杂质，藉由掺杂制程配置在发光材料层，增加该发光材料层上层的导电性。

9.如权利要求1所述的有机发光二极管面板，其特征在于，该发光材料层更包括：

受体(Acceptor)杂质，藉由掺杂制程配置在发光材料层，增加该发光材料层上层的导电性。

10.如权利要求1所述的有机发光二极管面板，其特征在于，该参考电压层和该阴极层位于同一层，且被第二绝缘层覆盖。

11.如权利要求1所述的有机发光二极管面板，其特征在于，该参考电压层形成于该第二绝缘层上，且更包括一第三绝缘层位于该参考电压层和发光材料层之间。

12.一种有机发光二极管面板的制造方法，其特征在于，包括：

在一透明基板上，依序形成一阳极层、一第一绝缘层、一阴极层、一第二绝缘层、一参考电压层；

蚀刻该第一绝缘层、该第二绝缘层，以产生一第一凹坑以及一第二凹坑，分别暴露该阳极层和该阴极层，其中，该参考电压层配置在该第一凹坑以及该第二凹坑之间；

在该第一凹坑内的该阳极层上蒸镀一空穴注入层；

在该空穴注入层上蒸镀一空穴传输层；

在该阴极层上蒸镀一电子注入层；

在该电子注入层上蒸镀一电子传输层；以及

在该电子注入层以及该电子传输层上方蒸镀一发光材料层。