[发明专利]有机发光二极管面板及其制造方法

说明书

本发明提供一种有机发光二极管面板及其制造方法。此有机发光二极管面板包括至少一像素，此像素包括一阳极层、一绝缘层、一发光材料层以及一参考电压层。阳极层配置于一透明基板上。绝缘层配置于阳极层上，具有一第一凹坑以及一第二凹坑，以分别暴露阳极层以及阴极层。第一凹坑内包括一空穴注入层以及一空穴传输层。空穴注入层配置于阳极层上。空穴传输层配置于空穴注入层上。第二凹坑内包括一阴极层、一电子注入层以及一电子传输层。阴极层配置于第二凹坑的底部上。电子注入层配置于阴极层上。电子传输层配置于该电子注入层上。参考电压层配置于第一凹坑与第二凹坑之间，且配置于发光材料层之下。

技术领域

本发明是关于一种有机发光二极管面板及其制造方法，特别是，本发明是关于一种平面式(In-Plane)有机发光二极管面板及其制造方法。

背景技术

一般而言，有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)组件，其内部所蒸镀的有机材料层是采用垂直堆栈的结构。如图1所示，为现有技术的有机发光二极管组件的结构图。此有机发光二极管组件包括一玻璃基底100、一阳极层101、空穴注入层102、一空穴传输层103、一有机发光材料层104、一电子传输层105与一电子注入层106以及一阴极层107。图1上还标注了这些层的厚度。

此现有技术中，存在了下列缺点：

(1)因为所有的有机材料厚度相当薄，约阳极与阴极之间容易短路，造成有机发光二极管显示器有点缺陷、异常大电流及生产良率降低等问题。

(2)若做成底部发光(Bottom Emission)结构，受限于薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)的玻璃基板的开口率低，有亮度不足问题。

(3)若做成顶部发光(Top Emission)必须找到阴极的材料要有高透明度及高导电度的限制。又，阴极材料一般是金属，若做的太薄，造成阻抗过高，若做的过厚，造成发光效率不高。

图2为现有技术的白光有机发光二极管组件的结构图。请参考图2，标号201是白光有机发光二极管组件的等效电路图。在现有技术中，白光有机发光二极管组件是利用红色、绿色、蓝色三个颜色的有机发光二极管组件垂直堆栈在一起。由于三个有机发光二极管201是串联，因此，在应用时，所须的外加电压也必须跟着提高数倍。

另外，现今的有机发光二极管材料的发光效率取决于流经发光材料层的电流大小，但是，往往不同颜色的发光材料层的材料最佳的发光效率所需的电流大小也不同，采用串联结构(垂直堆栈)流经每层的电流大小是相同的，很难取得一个电流值是适用于所有颜色的最佳发光效率。故容易导致白光色偏。再者，在制造传统串联式有机发光二极管时，必须将所有有机材料一层一层的蒸镀上去，如此，制造成本将随堆栈层数增加而跟着提高。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种有机发光二极管面板及其制造方法，用以改变现有有机发光二极管的架构，达到发光效率高、提升生产良率，且减低电路复杂度等。

有鉴于此，本发明提供一种有机发光二极管面板，此有机发光二极管面板包括至少一像素，其中，此像素包括一阳极层、一第一绝缘层、一阴极层、一第二绝缘层、一第一凹坑、一第二凹坑、一参考电压层、一空穴注入层、一空穴传输层、一电子注入层、一电子传输层以及一发光材料层。阳极层配置于一透明基板上。第一绝缘层配置于阳极层上。阴极层配置该第一绝缘层上。第二绝缘层配置于阴极层上。第一凹坑贯穿第一绝缘层及第二绝缘层，以暴露该阳极层。第二凹坑贯穿第二绝缘层，以暴露该阴极层。参考电压层配置在第一凹坑与第二凹坑之间。在一实施中，第三绝缘层配置于第二绝缘层上，并覆盖参考电压层。

空穴注入层配置于第一凹坑内，且配置于阳极层上。空穴传输层配置于第一凹坑内，且配置于空穴注入层上。电子注入层配置于第二凹坑内，且配置于阴极层上。电子传输层配置于第二凹坑内，且配置于电子注入层上。发光材料层配置于空穴传输层、电子传输层和第二绝缘层上，其中，阴极层、阳极层以及参考电压层构成三端点有机发光二极管。