[发明专利]一种具有三维横向变掺杂的半导体器件耐压层

权利要求书

1.一种具有三维横向变掺杂的半导体器件耐压层，其特征在于，该耐压层在半导体器件的半导体衬底或埋氧层的上表面外延形成，及所述耐压层具有三维横向变掺杂并且在以P型或N型重掺杂区域为中心的结构中掺杂浓度为非线性分布，其中，耐压层以P型重掺杂区域为中心的结构中，掺杂浓度采用公式计算：

其中，N(r)为半导体器件耐压层掺杂浓度，r为以半导体器件耐压层曲率内侧为起点的坐标；t＝(0.5t_s²+t_st_oxε_s/ε_ox)^0.5为特征厚度，ε_s为硅的介电常数，ε_ox为半导体器件埋氧层的介电常数，q为电荷量，t_s为半导体器件耐压层的厚度，t_ox为半导体器件埋氧层的厚度，E_c为半导体临界电场，r_in为半导体器件耐压层内侧的曲率半径；

耐压层以N型重掺杂区域为中心的结构中，掺杂浓度采用公式计算：

其中，N(r)为半导体器件耐压层掺杂浓度，r为以半导体器件耐压层曲率内侧为起点的坐标；t＝(0.5t_s²+t_st_oxε_s/ε_ox)^0.5为特征厚度，ε_s为硅的介电常数，ε_ox为半导体器件埋氧层的介电常数，q为电荷量，t_s为半导体器件耐压层的厚度，t_ox为半导体器件埋氧层的厚度，E_c为半导体临界电场，r_out为半导体器件耐压层外侧的曲率半径。

2.根据权利要求1所述具有三维横向变掺杂的半导体器件耐压层，其特征在于：所述耐压层采用叉指状版图或跑道形版图或圆形版图。

3.根据权利要求1所述具有三维横向变掺杂的半导体器件耐压层，其特征在于：所述耐压层采用硅或碳化硅、砷化镓、磷化铟、锗硅材料制作。

4.根据权利要求1所述具有三维横向变掺杂的半导体器件耐压层，其特征在于：所述耐压层用于横向PN二极管或横向扩散场效应晶体管LDMOS、横向绝缘栅双极型晶体管LIGBT。