[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，具有向由驱动信号驱动的布线的远端部分供给升压电压的供给电路，

所述供给电路具有反相器电路，该反相器电路的输入与所述布线的远端部分直接耦合且该反相器电路的输出与开关元件的栅极电极直接耦合，

所述开关元件由所述反相器电路的输出信号控制，

所述开关元件将所述升压电压直接连接于所述布线的远端部分，

所述供给电路、所述布线、所述反相器电路以及所述开关元件包含在存储装置中，

所述存储装置具有呈四边形的外形，所述四边形由第一边、与所述第一边相对的第二边、在所述第一边与所述第二边之间延伸的第三边和与所述第三边相对的第四边形成，

所述存储装置具有：

以沿着所述第一边的方式配置的行选择驱动电路以及控制电路；

以沿着所述第二边的方式配置的升压电位供给电路阵列、升压电位节点布线以及升压电路，其中，所述升压电位供给电路阵列包括多个所述供给电路，所述升压电位节点布线用于供给所述升压电压；

配置在所述行选择驱动电路与所述升压电位供给电路阵列之间并且包括存储器单元的存储器阵列；以及

配置在所述存储器阵列与所述第四边之间的列选择电路以及输入输出控制电路，

所述列选择电路配置在所述存储器阵列与所述输入输出控制电路之间，

所述供给电路配置在所述输入输出控制电路与所述第二边之间，

所述升压电位节点布线配置在所述升压电位供给电路阵列与所述第二边之间，

所述布线包括字线，

所述行选择驱动电路包括与所述字线耦合的字线驱动器，

所述开关元件是MOS开关元件，

所述反相器电路的输出与所述MOS开关元件的栅极电极耦合，

所述升压电路包括用于生成升压电压的第一电容元件，

所述MOS开关元件将经由所述升压电位节点布线供给来的所述升压电压供给至所述字线。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述字线与所述多个存储器单元连接，

所述字线具有近端部分和所述远端部分，

所述字线驱动器与所述字线的所述近端部分连接。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

该半导体器件具有多个互补数据线对、共用数据线、设置在多个互补数据线对与共用数据线之间的多个选择开关、和列选择线驱动器，

所述布线包括连接有所述多个选择开关的列选择线，

所述列选择线具有近端部分和所述远端部分，

所述列选择线驱动器与所述列选择线的所述近端部分连接。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述字线驱动器与所述布线的所述远端部分耦合，

所述存储器单元与所述布线耦合。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述反相器电路由p型MISFET和n型MISFET构成，所述反相器电路的所述输入与所述p型MISFET的栅极电极和所述n型MISFET的栅极电极分别耦合。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，

所述字线驱动器与所述布线的所述远端部分耦合，

所述存储器单元与所述布线耦合。