[发明专利]复合介质基材及其制备方法

说明书

本发明提供了复合介质基材及其制备方法，方法包括：将硅烷偶联剂溶于有机溶剂中，配置成硅烷偶联剂溶液；将陶瓷粉体加入硅烷偶联剂溶液中，超声、搅拌、抽滤和干燥，得到表面改性的陶瓷粉体；将树脂材料与表面改性的陶瓷粉体混合，进行球磨，得到复合介质材料；对复合介质材料造粒并且去除颗粒之间的空气；以及热压成型，得到复合介质基材。本发明制备的复合介质基材的拉伸强度明显提高，并且降低了复合介质基材的孔隙率。

技术领域

本发明涉及材料领域，更具体地，涉及复合介质基材及其制备方法。

背景技术

近年来，随着无线通信行业的快速发展，以及对通信速度的要求越来越高，而电路板作为电子通讯中不可或缺的材料成为人们的核心关注点。随着元器件的密度和集成度越来越高，功率消耗逐渐增大，对电路板中介质层导热性、基材的散热性以及介电性能稳定性提出了更高的要求。

目前，大多数现有的技术方案在制备介质基材的过程中，由于出现原料容易损失的缺陷使得不易控制基材的密度，基材的拉伸强度不高；而且由于不易排除板材中的空气，导致孔隙率高，进而影响介电性能。

发明内容

本发明提供了一种制备复合介质材料的方法，通过改善纳米粒子与树脂之间的相容性，增强结合能力，进而提高基材的拉伸强度，而且能减少复合介质基材中的孔隙率。

本发明提供了一种制备复合介质基材的方法，包括：将硅烷偶联剂溶于有机溶剂中，配置成硅烷偶联剂溶液；将陶瓷粉体加入所述硅烷偶联剂溶液中，超声、搅拌、抽滤和干燥，得到表面改性的陶瓷粉体；将树脂材料与所述表面改性的陶瓷粉体混合，进行球磨，得到复合介质材料；对所述复合介质材料造粒并且去除颗粒之间的空气；以及热压成型，得到所述复合介质基材。

在上述方法中，所述硅烷偶联剂溶液中的所述硅烷偶联剂的浓度为10％～15％。

在上述方法中，所述硅烷偶联剂包括KH-550、KH-560、KH-570中的一种或多种。

在上述方法中，所述陶瓷粉体与所述硅烷偶联剂的质量比为20:0.8～20:1.5。

在上述方法中，所述陶瓷粉体包括钛酸钡、金红石型二氧化钛、碳酸钡、钛酸锶、二氧化硅中的一种或多种。

在上述方法中，所述树脂材料与所述表面改性的陶瓷粉体的质量比为3:7～7:3。

在上述方法中，所述树脂材料包括聚苯醚、聚四氟乙烯中的一种或两种。

在上述方法中，对所述复合介质材料造粒得到粒径为0.8～1.5mm的颗粒。

在上述方法中，所述热压成型的压力为8～12MPa。

在上述方法中，所述树脂材料为所述聚苯醚，所述热压成型的温度为220℃～300℃。

在上述方法中，所述树脂材料为所述聚四氟乙烯，所述热压成型的温度为350℃～420℃。

本发明还提供了通过上述方法制备的复合介质基材。

本发明通过使用硅烷偶联剂对陶瓷粉体进行改性，陶瓷粉体可以与树脂材料具有更好的相容性，增强结合能力，进而提高基材的拉伸强度。此外，通过对纳米复合介质材料进行造粒，得到了粒径均匀、流动性好的颗粒，更有利于控制介质基材的密度。通过去除空气，降低了成型后的介质基材的孔隙率。

附图说明

图1示出了本发明的复合介质基材的示例性制备流程。

具体实施方式

下面的实施例可以使本领域技术人员更全面地理解本发明，但不以任何方式限制本发明。