[发明专利]复合基板及其制备方法在审
申请号: | 201711242223.9 | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN108962915A | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
发明(设计)人: | 高卓 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司;TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/13;H01L21/02 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 向薇 |
地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合基板 柔性基板 底面 载体基板 阻隔层 制备 柔性显示器件 牢固性 上表面 侧壁 基板 开口 覆盖 制作 保证 | ||
1.一种复合基板,其特征在于,该复合基板包括载体基板、柔性基板以及阻隔层;其中,
所述载体基板设有第一凹槽;所述第一凹槽包括底面以及围绕所述底面设置的侧壁,所述第一凹槽的开口面积小于所述第一凹槽的底面面积;
所述柔性基板设置于所述第一凹槽内;
所述阻隔层覆盖所述柔性基板的整个上表面。
2.根据权利要求1所述的复合基板,其特征在于,还包括离型层,所述离型层层叠设置于所述第一凹槽的底面与所述柔性基板之间。
3.根据权利要求2所述的复合基板,其特征在于,所述离型层的面积小于所述第一凹槽的底面面积;所述柔性基板的底面至少有部分与所述第一凹槽的底面相接触。
4.根据权利要求3所述的复合基板,其特征在于,所述第一凹槽中与所述柔性基板相接触的底面和/或所述第一凹槽的侧壁粗糙。
5.根据权利要求1-4任一项所述的复合基板,其特征在于,所述柔性基板的材料为聚酰亚胺。
6.根据权利要求1-4任一项所述的复合基板,其特征在于,所述阻隔层包括交替层叠设置的SiNx层和SiO2层,或交替层叠设置的聚对二甲苯层和SiNx层。
7.权利要求1-6任一项所述的复合基板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
载体基板制备:获取基板,并在所述基板的表面蚀刻形成第一凹槽,得载体基板;所述第一凹槽包括底面以及围绕所述底面设置的侧壁,所述第一凹槽的开口面积小于所述第一凹槽的底面面积;
柔性基板制备:于所述第一凹槽中沉积柔性基板材料,形成柔性基板;
阻隔层制备:于所述柔性基板的表面沉积阻隔层材料,形成阻隔层;所述阻隔层覆盖所述柔性基板的整个上表面;得所述复合基板。
8.根据权利要求7所述的复合基板的制备方法,其特征在于,所述载体基板制备工序中,蚀刻形成所述第一凹槽后,还包括离型层制备:在所述第一凹槽的底面沉积离型层;
所述柔性基板制备工序中,于所述离型层的表面沉积柔性基板材料,形成柔性基板。
9.根据权利要求8所述的复合基板的制备方法,其特征在于,所述离型层的面积小于所述第一凹槽的底面面积;所述柔性基板的底面至少有部分与所述第一凹槽相接触。
10.根据权利要求9所述的复合基板的制备方法,其特征在于,所述载体基板制备工序中,还包括对所述第一凹槽中与所述柔性基板相接触的底面和/或所述第一凹槽的侧壁进行喷砂处理。
11.根据权利要求7-10任一项所述的复合基板的制备方法,其特征在于,所述柔性基板制备工序包括:将所述柔性基板材料配制为柔性基板材料溶液,涂覆于所述第一凹槽内,先于真空度-0.09MPa~-0.05MPa条件下静置25~35min,再升温至340~360℃固化;然后降温,即形成所述柔性基板。
12.一种柔性显示器件的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供复合基板:获取权利要求1-6任一项所述的复合基板;
器件层制备和封装:于所述复合基板的所述阻隔层的表面进行器件层的制备并封装,得预制件;
剥离:对所述预制件进行切割,剥离即得所述柔性显示器件。
13.权利要求12所述的制作方法制得的柔性显示器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的