[发明专利]阵列基板及其制备方法及显示屏有效
申请号: | 201711243021.6 | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN107978611B | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
发明(设计)人: | 卜凡中;袁波;郭瑞;刘如胜 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 王乐 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示屏 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板具有显示区以及位于所述显示区外侧的非显示区;所述显示区设有薄膜晶体管和电容器;
所述非显示区包括衬底、以及形成于所述衬底上的外围金属走线;
所述外围金属走线包括:
下子层金属,形成于所述衬底上;所述下子层金属与所述显示区的第一金属层同层且绝缘,所述第一金属层包括栅极和电容器的下电极;
中子层金属,直接形成于所述下子层金属上;所述中子层金属与所述显示区的第二金属层同层且绝缘,所述第二金属层包括电容器的上电极;
以及上子层金属,直接形成于所述中子层金属上;所述上子层金属与所述显示区的第三金属层同层且电连接以使信号引出,所述第三金属层形成于覆盖所述第二金属层的层间绝缘层上。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述非显示区还包括用于覆盖所述外围金属走线的保护层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述保护层与所述显示区的平坦化层同层。
4.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述下子层金属、所述中子层金属、以及所述上子层金属在所述衬底上的投影形状一致。
5.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述中子层金属、以及所述上子层金属在所述衬底上的投影均位于所述下子层金属在所述衬底上的投影内。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一金属层、所述第二金属层、以及所述第三金属层的总厚度大于所述外围金属走线的厚度。
7.一种权利要求1所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
在衬底上形成第一金属图案,以在所述显示区内形成所述第一金属层、以及在所述非显示区内形成所述下子层金属,所述第一金属层包括栅极和电容器的下电极;
形成第二金属图案,以在所述显示区内形成所述第二金属层,在所述非显示区的所述下子层金属上形成所述中子层金属,所述第二金属层包括电容器的上电极;
形成第三金属图案,以在所述显示区内形成所述第三金属层,在所述非显示区内的所述中子层金属上形成所述上子层金属,所述第三金属层形成于覆盖所述第二金属层的层间绝缘层上。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,还包括在所述上子层金属形成之后,对上子层金属进行减薄处理。
9.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,还包括在所述上子层金属上覆盖平坦化层。
10.一种显示屏,其特征在于,所述显示屏包括权利要求1-6任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的