[发明专利]阵列基板及其制备方法及显示屏有效
申请号: | 201711243021.6 | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN107978611B | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
发明(设计)人: | 卜凡中;袁波;郭瑞;刘如胜 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 王乐 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示屏 | ||
本发明涉及一种阵列基板,其具有显示区及非显示区;非显示区包括衬底及外围金属走线;外围金属走线包括:下子层金属,形成于衬底上;下子层金属与显示区的第一金属层同层且绝缘;中子层金属,直接形成于下子层金属上,并且与显示区的第二金属层同层且绝缘;以及上子层金属,直接形成于中子层金属上;并且与显示区的第三金属层同层且电连接以使信号引出。上述阵列基板,由于用与下、中子层金属、承托与第三金属层同层且电连接的上子层金属,故第三金属层与上子层金属高度差小,从而使显示区与非显示区之间不易产生断层,可以使显示区与非显示区之间金属有效连接,从而提高显示屏的良率。本发明还公开了一种阵列基板的制备方法及显示屏。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种阵列基板及其制备方法及显示屏。
背景技术
显示屏包括显示区(AA区)以及非显示区(非AA区),为了达到某些功能,会要求非显示区能够弯折。例如为了实现窄边框化,将非显示区弯折到屏体的背面,从而减少边框宽度。
目前,有在非显示区的衬底上直接沉积M1层,以M1作为外围金属走线;从而避免在非显示区上形成GI、CI等无机膜层,进而避免无机膜层对外围金属走线的挤压,减小了外围金属走线断裂的几率。
但是,上述方案中,显示屏的良率还有待提高。
发明内容
基于此,有必要对现有技术中显示屏的良率不佳的问题,提供一种可以提显示屏的良率的阵列基板。
一种阵列基板,所述阵列基板具有显示区以及位于所述显示区外侧的非显示区;
所述非显示区包括衬底、以及形成于所述衬底上的外围金属走线;
所述外围金属走线包括:
下子层金属,形成于所述衬底非显示区域上;所述下子层金属与所述显示区的第一金属层同层且绝缘;
中子层金属,直接形成于所述下子层金属上;所述中子层金属与所述显示区的第二金属层同层且绝缘;
以及上子层金属,直接形成于所述中子层金属上;所述上子层金属与所述显示区的第三金属层同层且电连接以使信号引出。
上述阵列基板,由于使用与第一金属层同层的下子层金属、以及与第二金属层同层的中子层金属承托与第三金属层同层且电连接的上子层金属,故第三金属层与上子层金属高度差小,从而使显示区与非显示区之间不易产生断层,可以使显示区与非显示区之间金属有效连接,从而提高显示屏的良率。
在其中一个实施例中,所述非显示区还包括用于覆盖所述外围金属走线的保护层。
在其中一个实施例中,所述保护层与所述显示区的平坦化层同层。
在其中一个实施例中,所述下子层金属、所述中子层金属、以及所述上子层金属在所述衬底上的投影形状一致。
在其中一个实施例中,所述中子层金属、以及所述上子层金属在所述衬底上的投影均位于所述下子层金属在所述衬底上的投影内。
在其中一个实施例中,所述第一金属层、所述第二金属层、以及所述第三金属层的总厚度大于所述外围金属走线的厚度。
本发明还提供了一种阵列基板的制备方法。
一种阵列基板的制备方法,包括如下步骤:
在衬底上形成第一金属图案,以在所述显示区内形成所述第一金属层、以及在所述非显示区内形成所述下子层金属;
形成第二金属图案,以在所述显示区内形成所述第二金属层,在所述非显示区的所述下子层金属上形成所述中子层金属;
形成第三金属图案,以在所述显示区内形成所述第三金属层,在所述非显示区内的所述中子层金属上形成所述上子层金属。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司,未经昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711243021.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的