[发明专利]接合装置、接合系统、接合方法以及计算机存储介质

说明书

本发明涉及接合装置、接合系统、接合方法以及计算机存储介质。检查基板的接合处理的状态来恰当地进行该接合处理。用于将上晶圆(W_U)与下晶圆(W_L)进行接合的接合装置具有：上卡盘(140)，其进行抽真空来将上晶圆(W_U)吸附保持在其下表面；下卡盘(141)，其设置在上卡盘(140)的下方，进行抽真空来将下晶圆(W_L)吸附保持在其上表面；压动构件(190)，其设置于上卡盘(140)，用于按压上晶圆(W_U)的中心部；以及多个传感器(175)，多个传感器(175)设置于上卡盘(140)，检测上晶圆W_U的从上卡盘(140)的脱离。

技术领域

本发明涉及将基板彼此接合的接合装置、具备该接合装置的接合系统、 使用了该接合装置的接合方法以及计算机存储介质。

背景技术

近年来，正在推广半导体器件的高集成化。在将高集成化的多个半导体 器件配置在水平面内并利用配线将这些半导体器件相连接来实现产品化的 情况下，担心配线长度增大，由此配线的电阻变大或配线延迟变大的问题。

因此，提出了一种使用三维地层叠半导体器件的三维集成技术的方案。 在该三维集成技术中，例如使用专利文献1中记载的接合系统进行两片半导 体晶圆(以下，称为“晶圆”。)的接合。例如接合系统具有：表面改性装置， 其对晶圆的被接合的表面进行改性；表面亲水化装置，其对在该表面改性装 置中被改性后的晶圆的表面进行亲水化；以及接合装置，其将在该表面亲水 化装置中表面被亲水化的晶圆彼此接合。在该接合系统中，在表面改性装置 中对晶圆的表面进行等离子体处理来使该表面改性，并且在表面亲水化装置 中对晶圆的表面供给纯水来将该表面进行亲水化之后，在接合装置中利用范 德华力和氢键(分子间力)将晶圆彼此接合。

上述接合装置具有：上卡盘，其用于在下表面保持一个晶圆(以下，称 为“上晶圆”。)；下卡盘，其设置于上卡盘的下方，用于在上表面保持其它晶 圆(以下，称为“下晶圆”。)；以及压动构件，其设置于上卡盘，用于按压上 晶圆的中心部。在上述接合装置中，在将被保持于上卡盘的上晶圆与被保持 于下卡盘的下晶圆相向配置的状态下，利用压动构件按压上晶圆的中心部和 下晶圆的中心部以使二者抵接，该中心部彼此接合后形成接合区域。之后， 从晶圆的中心部朝向外周部产生接合区域扩大的所谓接合波。然后，将上晶圆与下晶圆接合。

专利文献1：日本特开2016-039364号公报

发明内容

发明要解决的问题

为了抑制接合后的叠加晶圆的变形，接合波优选从晶圆的中心部朝向外 周部均匀地即同心圆状地扩大。然而，在上述专利文献1中记载的接合装置 中，不进行监视接合波的动作，即使接合波不均匀地扩大也无法掌握该情况。 因而，在以往的晶圆的接合处理中存在改善的余地。

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于检查基板的接合处理的状 态来恰当地进行该接合处理。

用于解决问题的方案

为了实现所述目的，本发明涉及将基板彼此接合的接合装置，该接合装 置具有：第一保持部，其进行抽真空来将第一基板吸附保持在该第一保持部 的下表面；第二保持部，其设置在所述第一保持部的下方，进行抽真空来将 第二基板吸附保持在该第二保持部的上表面；压动构件，其设置于所述第一 保持部，用于按压第一基板的中心部；以及多个基板检测部，多个所述基板 检测部设置于所述第一保持部，用于检测第一基板的从该第一保持部的脱 离。