[发明专利]半导体封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，其特征在于，包括：

一芯片，具有一主动面；

一封装体，包覆该芯片；

一重布层，包括：

一第一介电层，形成于该封装体与该芯片的该主动面上并露出该主动面的一部分；

一第一导电层，形成于该第一介电层上并电性连接于露出的该主动面，该第一导电层包括：一线路层，电性连接于该主动面；以及一第一接地层；

以及一屏蔽层，覆盖该封装体的外表面并电性连接于该第一导电层的该第一接地层。

2.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第一接地层邻近但与该线路层隔离。

3.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，更包括：一第二介电层，形成于该第一导电层上并露出该第一导电层的一部分。

4.如权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，该重布层更包括：

一第二导电层，形成于该第二介电层上并电性连接于该第一导电层的露出的该部分；以及

一第三介电层，形成于该第二导电层上并露出该第二导电层的一部分；

其中，该第二导电层包括一第二接地层。

5.如权利要求4所述的半导体封装件，其特征在于，该第一导电层、该第二介电层与该第二导电层构成一波导结构。

6.如权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，更包括：

一第三介电层，形成于该第二介电层上方；

其中该第一介电层的外侧面、该第二介电层的外侧面与该第三介电层的外侧面的二者对齐。

7.如权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，更包括：

一第三介电层，形成于该第二介电层上方；

其中该封装体的外侧面与该第一介电层的外侧面、该第二介电层的外侧面及该第三介电层的外侧面之间各具有一段差。

8.如权利要求4所述的半导体封装件，其特征在于，该线路层、该第一接地层、该二介电层与该第二导电层构成一接地共面波导。

9.如权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，该封装体具有一第一表面，该第一介电层覆盖该第一表面的一第一部分，该第一导电层包括一第一接地层，该第一接地层延伸至该第一介电层的外侧面与该第一表面的一第二部分，该屏蔽层延伸至与该第一接地层电性连接。

10.如权利要求9所述的半导体封装件，其特征在于，该重布层更包括：

一第二导电层，形成于该第二介电层上并电性连接于该第一导电层的露出的该部分，该第二导电层包括一第二接地层，该第二接地层延伸至该第二介电层的外侧面而与该第一接地层电性连接。

11.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第一导电层包括一第一接地层，该重布层更包括一第二接地层，其中该第一接地层的外侧面、该第二接地层的外侧面与该封装体的外侧面对齐。

12.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该封装体具有一第二表面，该第一导电层包括一第一接地层；该半导体封装件包括：

一导电元件，从该封装体的该第二表面经由该封装体与该第一介电层延伸至该第一接地层，该屏蔽层形成于该第二表面上且通过该导电元件电性连接于该第一接地层。

13.一种半导体封装件，其特征在于，包括：

一芯片，具有一主动面；

一封装体，包覆该芯片；

一重布层，包括：

一第一介电层，形成于该封装体；

一第一导电层，形成于该第一介电层上并电性连接于露出的该主动面，该第一导电层包括：一线路层；以及一第一接地层；以及

一屏蔽层，覆盖该封装体的外表面并电性连接于该第一导电层的该第一接地层。

14.如权利要求13所述的半导体封装件，其特征在于，更包括一第二介电层，形成于该第一导电层上并露出该第一导电层的一部分；

一第二导电层，形成于该第二介电层上，该第二导电层包括一第二接地层，该第二接地层延伸至该第二介电层的外侧面且与该第一接地层接觸；及

该屏蔽层电性连接于及该第二接地层。