[发明专利]超临界流体制造装置和基板处理装置有效
申请号: | 201711249381.7 | 申请日: | 2017-12-01 |
公开(公告)号: | CN108155117B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 清原康雄 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 临界 流体 制造 装置 处理 | ||
1.一种超临界流体制造装置,具备:
气体供给线,其用于供给气体状的处理流体;
冷却器,其与所述气体供给线连接,通过对来自所述气体供给线的气体状的处理流体进行冷却来生成液体状的处理流体;
泵,其与所述冷却器连接,将来自所述冷却器的液体状的处理流体的压力提高后将该处理流体送出;
缓冲罐,其与所述泵连接,吸收来自所述泵的处理流体的压力变动或脉动;
加热装置,其与所述缓冲罐连接,对来自所述缓冲罐的处理流体进行加热;以及
超临界流体供给线,其与所述加热装置连接,用于送出来自所述加热装置的超临界状态的处理流体,
其中,在所述缓冲罐的规定位置设置有供来自所述泵的处理流体流入的流入口,在所述缓冲罐中的与所述流入口不同的位置设置有供处理流体流出的流出口,
所述缓冲罐具有用于贮存来自所述泵的处理流体的缓冲罐主体以及对被送入到所述缓冲罐主体中的处理流体进行加热的加热器,
所述缓冲罐具有容纳空间,在使用所述缓冲罐的期间,在所述缓冲罐主体的内部,成为在所述容纳空间的上部存在处理流体、在所述容纳空间的下部存在超临界流体的状态,在送出超临界状态的处理流体时超临界状态的处理流体的压力发生变化或从所述泵输送来的处理流体发生脉动的情况下,非压缩性的处理流体与压缩性的超临界状态的处理流体之间的界面上下移动,以及
所述缓冲罐的所述流入口位于所述缓冲罐的铅垂方向上部,所述缓冲罐的所述流出口位于所述缓冲罐的铅垂方向下部。
2.根据权利要求1所述的超临界流体制造装置,其特征在于,
所述缓冲罐主体的容量为500ml以上且1000ml以下。
3.根据权利要求1或2所述的超临界流体制造装置,其特征在于,
还设置有将所述加热装置的下游侧与所述冷却器的上游侧连接的循环线,在所述循环线上设置有调压阀。
4.根据权利要求1或2所述的超临界流体制造装置,其特征在于,
在所述冷却器与所述泵之间设置有贮存罐,该贮存罐用于贮存通过被所述冷却器冷却而液化的液体状的处理流体。
5.一种基板处理装置,具备:
根据权利要求1至4中的任一项所述的超临界流体制造装置;以及
处理容器,其使用来自所述超临界流体制造装置的超临界状态的处理流体,来对基板进行超临界流体处理。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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