[发明专利]超临界流体制造装置和基板处理装置

说明书

本发明提供一种超临界流体制造装置和基板处理装置。超临界流体制造装置能够吸收在超临界流体制造装置内流动的处理流体的压力变动或脉动，并且能够防止缓冲罐中滞留微粒的不良情况。超临界流体制造装置(70)具备气体供给线(71a)、冷却器(72)、泵(74)、缓冲罐(80)、加热装置(75)以及超临界流体供给线(71c)。在缓冲罐(80)的规定位置设置有供来自泵(74)的处理流体流入的流入口(83)，在与流入口(83)不同的位置设置有供处理流体流出的流出口(84)。缓冲罐(80)具有用于贮存来自泵(74)的处理流体的缓冲罐主体(85)以及对被送入到缓冲罐主体(85)中的处理流体进行加热的加热器(86)。

技术领域

本发明涉及一种超临界流体制造装置和基板处理装置。

背景技术

在作为基板的半导体晶圆(以下称作晶圆)等的表面形成集成电路的层叠构造的半导体装置的制造工序中，进行利用药液等清洗液将晶圆表面的微小的灰尘、自然氧化膜去除等利用液体来对晶圆表面进行处理的液处理工序。

已知如下一种方法：在通过这样的液处理工序将残留于晶圆的表面的液体去除时，使用超临界状态的处理流体。

例如，专利文献1公开一种使超临界状态的流体与基板接触来将残留于基板的液体去除的基板处理装置。另外，专利文献2公开一种利用超临界流体来从基板上溶解有机溶剂后使基板干燥的基板处理装置。

专利文献1：日本特开2013-12538号公报

专利文献2：日本特开2013-16798号公报

发明内容

发明要解决的问题

另外，以往，从高压流体制造装置向使用超临界流体等高压流体的基板处理装置供给高压流体。在这样的高压流体制造装置中，设置有用于吸收对处理容器供给高压流体时的压力变动或吸收因泵而产生的高压流体的脉动的蓄压器。在该蓄压器中，向缓冲容器内填充被封入到橡胶膜等的蓄压气体，在从供给配管侧供给高压流体时，所封入的蓄压气体吸收高压流体的压力变动。

然而，在以往的蓄压器中，使高压流体流入缓冲容器的流入口和使高压流体从缓冲容器流出的流出口是共用的。因此，被充填到蓄压器的缓冲容器内的高压流体滞留，由此，存在于高压流体内的微粒也滞留在蓄压器的缓冲容器内。当像这样滞留在缓冲容器内的微粒间歇地向供给配管流出时，有可能对基板的处理工艺产生不良影响。

本发明是在这样的背景下完成的，其目的在于提供一种能够吸收在超临界流体制造装置内流动的处理流体的压力变动或脉动并且防止缓冲罐中滞留微粒的不良情况的超临界流体制造装置和基板处理装置。

用于解决问题的方案

本发明的一个方式涉及一种超临界流体制造装置，在该超临界流体制造装置中，具备：气体供给线，其用于供给气体状的处理流体；冷却器，其与所述气体供给线连接，通过对来自所述气体供给线的气体状的处理流体进行冷却来生成液体状的处理流体；泵，其与所述冷却器连接，将来自所述冷却器的液体状的处理流体的压力提高后将该处理流体送出；缓冲罐，其与所述泵连接，吸收来自所述泵的处理流体的压力变动或脉动；加热装置，其与所述缓冲罐连接，对来自所述缓冲罐的处理流体进行加热；以及超临界流体供给线，其与所述加热装置连接，用于送出来自所述加热装置的超临界状态的处理流体，其中，在所述缓冲罐的规定位置设置有供来自所述泵的处理流体流入的流入口，在所述缓冲罐中的与所述流入口不同的位置设置有供处理流体流出的流出口，所述缓冲罐具有用于贮存来自所述泵的处理流体的缓冲罐主体以及对被送入到所述缓冲罐主体中的处理流体进行加热的加热器。

发明的效果

根据本发明，能够吸收在超临界流体制造装置内流动的处理流体的压力变动或脉动，并且能够防止缓冲罐中滞留微粒的不良情况。