[发明专利]微发光二极管转移的方法、制造方法、装置和电子设备

权利要求书

1.一种用于微发光二极管转移的方法，其特征在于，包括：

按照蓝色微发光二极管、绿色微发光二极管、红色微发光二极管的先后顺序，在同一GaAs原始衬底上的对应选定区域外延生长其中两种或三种颜色的微发光二极管，然后制作金属电极；

在接收衬底上形成对应于所述微发光二极管的凸点电极；

使所述两种或三种颜色的微发光二极管的金属电极与接收衬底上的凸点电极键合；

去除GaAs原始衬底。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述去除原始衬底包括：利用湿法腐蚀的方法去除GaAs原始衬底。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述在GaAs原始衬底上外延生长其中两种或三种颜色微发光二极管包括：在GaAs原始衬底上外延生长InGaAs层，然后在该InGaAs层上外延生成其中两种或三种颜色的微发光二极管；

所述去除GaAs原始衬底包括：利用激光剥离的方法去除GaAs原始衬底。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述凸点电极的熔点小于等于350℃。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述在GaAs原始衬底上外延生长其中两种或三种颜色的微发光二极管包括：在GaAs原始衬底的(111)或(100)晶面上外延生长其中两种或三种颜色微发光二极管。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在同一GaAs原始衬底上至少外延生长蓝色微发光二极管，所述蓝色微发光二极管由GaN材料外延生长；或者

在同一GaAs原始衬底上至少外延生长绿色微发光二极管，所述绿色微发光二极管由GaN材料外延生长；或者

在同一GaAs原始衬底上至少外延生长红色微发光二极管，所述红色微发光二极管由GaAs材料外延生长。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述微发光二极管的N电极和P电极位于同一侧，所述微发光二极管中的每一个微发光二极管对应接收衬底上的两个凸点电极；或者

所述微发光二极管的N电极和P电极位于相对的两侧，所述微发光二极管中的每一个微发光二极管对应接收衬底上的一个凸点电极。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述在同一GaAs原始衬底上的对应选定区域外延生长其中两种或三种颜色的微发光二极管包括:

在同一GaAs原始衬底上的对应需外延生长蓝色微发光二极管以外的区域设置掩膜，在未被掩膜遮蔽的区域外延生长蓝色微发光二极管；或者

在同一GaAs原始衬底上的对应需外延生长绿色微发光二极管以外的区域设置掩膜，在未被掩膜遮蔽的区域外延生长绿色微发光二极管；或者

在同一GaAs原始衬底上的对应需外延生长红色微发光二极管以外的区域设置掩膜，在未被掩膜遮蔽的区域外延生长红色微发光二极管。

9.一种用于制造微发光二极管装置的制造方法，其特征在于，包括使用根据权利要求1所述的方法将微发光二极管转移到接收衬底上。

10.一种使用根据权利要求9所述的方法制造的微发光二极管装置。

11.一种电子设备，其特征在于，包括根据权利要求10所述的微发光二极管装置。