[发明专利]微发光二极管转移的方法、制造方法、装置和电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及微发光二极管，更具体地，涉及一种用于微发光二极管的转移方法、一种用于微发光二极管的制造方法、一种微发光二极管装置和一种包含微发光二极管装置的电子设备。

背景技术

微发光二极管(Micro LED)技术是指在衬底上以高密度集成的微小尺寸的LED阵列。由于形成蓝色、绿色、红色微发光二极管的材料和工艺条件的差异，需要分别形成和转移三种颜色的微发光二极管。转移效率受限。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种用于微发光二极管转移的方法的新技术方案,以实现一次转移多种颜色的微发光二极管。

根据本发明的第一方面，提供了一种用于微发光二极管转移的方法，包括：按照蓝色微发光二极管、绿色微发光二极管、红色微发光二极管的先后顺序，在同一GaAs原始衬底上外延生长其中两种或三种颜色的微发光二极管，然后制作金属电极；在接收衬底上外延生长对应于所述微发光二极管的凸点电极；使所述两种或三种颜色的微发光二极管与接收衬底上的凸点电极键合；去除GaAs原始衬底。

可选地，所述去除原始衬底包括：利用湿法腐蚀的方法去除GaAs原始衬底。

可选地，所述在GaAs原始衬底上外延生长其中两种或三种颜色微发光二极管包括：在GaAs原始衬底上外延生成InGaAs层，然后在该InGaAs层上外延生成其中两种或三种颜色的微发光二极管；

所述去除GaAs原始衬底包括：利用激光剥离的方法去除GaAs原始衬底。

可选地，所述凸点电极的熔点小于等于350℃。

可选地，所述在GaAs原始衬底上外延生长其中两种或三种颜色的微发光二极管包括：在GaAs原始衬底的(111)或(100)晶面上外延生长其中两种或三种颜色微发光二极管。

可选地，在同一GaAs原始衬底上至少外延生长蓝色微发光二极管，所述蓝色微发光二极管由GaN材料外延生长；或者

在同一GaAs原始衬底上至少外延生长绿色微发光二极管，所述绿色微发光二极管由GaN材料外延生长；或者

在同一GaAs原始衬底上至少外延生长红色微发光二极管，所述红色微发光二极管由GaAs材料外延生长。

可选地，所述微发光二极管的N电极和P电极位于同一侧，所述微发光二极管中的每一个微发光二极管对应接收衬底上的两个凸点电极；或者所述微发光二极管的N电极和P电极位于相对的两侧，所述微发光二极管中的每一个微发光二极管对应接收衬底上的一个凸点电极。

可选地，所述在同一GaAs原始衬底上的对应选定区域外延生长其中两种或三种颜色的微发光二极管包括:在同一GaAs原始衬底上的对应需外延生长蓝色微发光二极管以外的区域设置掩膜，在未被掩膜遮蔽的区域外延生长蓝色微发光二极管；或者在同一GaAs原始衬底上的对应需外延生长绿色微发光二极管以外的区域设置掩膜，在未被掩膜遮蔽的区域外延生长绿色微发光二极管；或者在同一GaAs原始衬底上的对应需外延生长红色微发光二极管以外的区域设置掩膜，在未被掩膜遮蔽的区域外延生长红色微发光二极管。

根据本发明的第二方面，提供了一种用于制造微发光二极管装置的制造方法，包括使用前述的方法将微发光二极管转移到接收衬底上。

根据本发明的第三方面，提供了一种使用前述的方法制造的微发光二极管装置。

根据本发明的第四方面，提供了一种电子设备，包括前述的微发光二极管装置。

本专利的发明人发现，可以按照蓝色微发光二极管、绿色微发光二极管、红色微发光二极管的先后顺序，在同一GaAs原始衬底上外延生长其中两种或三种颜色的微发光二极管。进而，基于此发现可以实现将不同颜色的微发光二极管一次性转移至接收衬底。

本发明的发明人发现，在现有技术中，并无一次性转移多种颜色的微发光二极管的方案。因此，本发明所要实现的技术任务或者所要解决的技术问题是本领域技术人员从未想到的或者没有预期到的，故本发明是一种新的技术方案。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。

图1示出了本发明的实施例提供的用于微发光二极管转移的方法的流程图。

图2A-图2M示出了本发明的一个用于微发光二极管转移的例子。

具体实施方式