[发明专利]一种双向磁化变压器隔离驱动电路

权利要求书

1.一种双向磁化变压器隔离驱动电路，其特征在于，所述电路包括第一驱动芯片、第二驱动芯片、隔离变压器、第一电荷泄放电路和第二电荷泄放电路；

所述第一驱动芯片和第二驱动芯片的输出信号为相位相差180°的方波信号；

所述隔离变压器为单输入双输出的双向磁化变压器；

所述隔离变压器的输入端的两个接口分别连接所述第一驱动芯片和所述第二驱动芯片；

所述隔离变压器的两个输出端分别通过电荷泄放电路进行驱动输出。

2.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述电路还包括复位电容；

所述复位电容连接在所述第一驱动芯片与所述隔离变压器的输入端的接口之间。

3.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述隔离变压器具备三个绕组，分别为一个输入绕组和两个输出绕组；

其中三个绕组采用三线并绕的方式绕制。

4.如权利要求3所述的驱动电路，其特征在于，所述电荷泄放电路连接在所述输出绕组的同名端和异名端之间；

所述电荷泄放电路包括三极管Q17、稳压二极管V31、二极管V17、基极限流电阻R61、输出限流电阻R41、发射级限流电阻R82以及静电泄放电阻R25；该电荷泄放电路具有正输出端口和负输出端口；

其中Q17为PNP型三极管；Q17的基极通过R61连接至输出绕组的同名端，集电极直接连接至输出绕组的异名端；

发射级通过R82连接正输出端口；

输出绕组的同名端通过串联的V17和R41连接正输出端口；其中V17的导通方向为由输出绕组的同名端至正输出端口；

R25和V31并联连接在正输出端口和负输出端口之间；其中V31的导通方向为从负输出端口至正输出端口。

5.如权利要求1-4任一权利要求所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路的驱动输出用于驱动金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET。