[发明专利]一种双向磁化变压器隔离驱动电路

说明书

本发明公开了一种双向磁化变压器隔离驱动电路，涉及驱动电路技术领域。该电路包括第一驱动芯片、第二驱动芯片、隔离变压器、第一电荷泄放电路和第二电荷泄放电路。第一驱动芯片和第二驱动芯片的输出信号为相位相差180°的方波信号。隔离变压器为单输入双输出的双向磁化变压器。隔离变压器的输入端的两个接口分别连接第一驱动芯片和第二驱动芯片。隔离变压器的两个输出端分别通过电荷泄放电路进行驱动输出。本发明能够实现较优的电路布局，并减小变压器在印制板上的占用面积。

技术领域

本发明涉及驱动电路技术领域，具体涉及一种双向磁化变压器隔离驱动电路。

背景技术

开关电源由于体积小、重量轻、效率高等优点，应用已经越来越普及。金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET由于开关速度快、易并联、所需驱动效率低等优点已成为开关电源常用的功率开关器件之一。驱动电路的好坏直接影响开关电源工作的可靠性及性能指标。

其中开关电源中的推挽拓扑、半桥拓扑、全桥拓扑主开关管都需要相位差为180°的驱动信号。一般都是先产生符合相位差要求的方波型号，然后每路都单独通过一隔离变压器进行隔离输出，请参考附图1，图1示出了传统的180°隔离驱动电路。

开关电源的电路设计一般以优化的电路布局以及较小的电路体积为佳，图1所示的传统的180°隔离驱动电路，其上需要连接两个隔离变压器，导致该驱动电路整体布局具有部分功能性的荣誉，且印制板占用空间较多，不符合开关电源驱动电路的设计需求。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种双向磁化变压器隔离驱动电路，能够实现较优的电路布局，并减小变压器在印制板上的占用面积。

本发明所提供的一种双向磁化变压器隔离驱动电路包括第一驱动芯片、第二驱动芯片、隔离变压器、第一电荷泄放电路和第二电荷泄放电路。

第一驱动芯片和第二驱动芯片的输出信号为相位相差180°的方波信号。

隔离变压器为单输入双输出的双向磁化变压器。

隔离变压器的输入端的两个接口分别连接第一驱动芯片和第二驱动芯片。

隔离变压器的两个输出端分别通过电荷泄放电路进行驱动输出。

进一步地，该电路还包括复位电容；复位电容连接在第一驱动芯片与隔离变压器的输入端的接口之间。

进一步地，隔离变压器具备三个绕组，分别为一个输入绕组和两个输出绕组；其中三个绕组采用三线并绕的方式绕制。

进一步地，电荷泄放电路连接在输出绕组的同名端和异名端之间。

电荷泄放电路包括三极管Q17、稳压二极管V31、二极管V17、基极限流电阻R61、输出限流电阻R41、发射级限流电阻R82以及静电泄放电阻R25；该电荷泄放电路具有正输出端口和负输出端口。

其中Q17为PNP型三极管；Q17的基极通过R61连接至输出绕组的同名端，集电极直接连接至输出绕组的异名端。

发射级通过R82连接正输出端口。

输出绕组的同名端通过串联的V17和R41连接正输出端口；其中V17的导通方向为由输出绕组的同名端至正输出端口。

R25和V31并联连接在正输出端口和负输出端口之间；其中V31的导通方向为从负输出端口至正输出端口。

进一步地，驱动电路的驱动输出用于驱动金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET。

有益效果：