[发明专利]一种以图案化ITO作为透明导电层的电致玻璃及制作方法

权利要求书

1.一种以图案化ITO作为透明导电层的电致玻璃的制作方法，其特征在于，所述的制作方法包括下列步骤：

S1、在第一玻璃基底镀上一层ITO层，并通过光刻，显影腐蚀得到图案化的第一透明导电层；

S2、在所述的图案化的第一透明导电层的表面镀上电致变色层；

S3、在第二玻璃基底镀上一层ITO层，并通过光刻，显影腐蚀得到图案化的第二透明导电层；

S4、在所述的图案化的第二透明导电层的表面镀上离子储存层；

S5、在所述的离子储存层和所述的电致变色层之间制备电解质层，获得以图案化ITO作为透明导电层的电致变色玻璃。

2.根据权利要求1所述的一种以图案化ITO作为透明导电层的电致玻璃的制作方法，其特征在于，所述的步骤S1、在第一玻璃基底镀上一层ITO层，并通过光刻，显影腐蚀得到图案化的第一透明导电层的过程如下：

S101、在第一玻璃基底用磁控溅射的方法镀上ITO层；

S102、在ITO层形成感光层，所述的感光层包括感光性干膜和光刻胶；

S103、通过曝光、微影、显影手段，并使用光罩图案化上述步骤S102中的感光层，以形成图案化感光层；

S104、使用蚀刻的方法先将上述步骤S103的图案化感光层的图案转移至ITO层来形成所需要的图案化ITO层，再移除图案化感光层，得到图案化的第一透明导电层。

3.根据权利要求1所述的一种以图案化ITO作为透明导电层的电致玻璃的制作方法，其特征在于，所述的步骤S3、在第二玻璃基底镀上一层ITO层，并通过光刻，显影腐蚀得到图案化的第二透明导电层的过程如下：

S301、在第二玻璃基底用磁控溅射的方法镀上ITO层；

S302、在ITO层形成感光层，所述的感光层包括感光性干膜和光刻胶；

S303、通过曝光、微影、显影手段，并使用光罩图案化上述步骤S302中的感光层，以期形成图案化感光层；

S304、使用蚀刻的方法先将上述步骤S303的图案化感光层的图案转移至ITO层来形成所需要的图案化ITO层，再移除图案化感光层，得到图案化的第二透明导电层。

4.根据权利要求1所述的一种以图案化ITO作为透明导电层的电致玻璃的制作方法，其特征在于，所述的步骤S5中在电致变色层和离子储存层之间注入电解质溶胶，并且在预设烘烤温度下烘烤所述的电解质溶胶直至聚合并固化形成固态电解质层。

5.根据权利要求4所述的一种以图案化ITO作为透明导电层的电致玻璃的制作方法，其特征在于，所述的步骤S5包括以下步骤：

S501、将电致变色层和离子储存层用一定厚度的矩形的有机玻璃框架隔开并用环氧树脂密封，留小孔作为有机锂离子溶胶注射入口；

S502、用注射器直接注射有机锂离子溶胶到的电致变色层和离子储存层之间；

S503、在预设烘烤温度下进行烘烤,使得有机锂离子溶胶聚合并完全固化形成有机锂离子导体膜,作为电致变色玻璃的电解质层。

6.根据权利要求4所述的一种以图案化ITO作为透明导电层的电致玻璃的制作方法，其特征在于，所述的电解质溶胶是有机锂离子溶胶。

7.根据权利要求4或5所述的一种以图案化ITO作为透明导电层的电致玻璃的制作方法，其特征在于，所述的预设烘烤温度范围是50℃至200℃。

8.根据权利要求1所述的一种以图案化ITO作为透明导电层的电致玻璃的制作方法，其特征在于，所述的ITO层、所述的电致变色层以及所述的离子储存层均是利用磁控溅射的方法镀成。

9.根据权利要求1至8任一所述的一种以图案化ITO作为透明导电层的电致玻璃的制作方法，其特征在于，所述的电致变色层为氧化坞层，所述的离子储存层为氧化镍层。

10.一种以图案化ITO作为透明导电层的电致玻璃，其特征在于，所述的电致玻璃包括第一玻璃基底和第二玻璃基底，其中，所述的第一玻璃基底和所述的第二玻璃基底之间用矩形的有机玻璃框架隔开并用环氧树脂密封，所述的第一玻璃基底上镀有图案化的第一透明导电层，所述的第一透明导电层上镀有电致变色层；所述的第二玻璃基底上镀有图案化的第二透明导电层，所述的第二透明导电层上镀有离子储存层；所述的有机玻璃框架中通过注入电解质溶胶形成固态电解质层，

其中，该电致玻璃从上往下结构分别是第二玻璃基底、图案化的第二透明导电层、离子储存层、电解质层、电致变色层、图案化的第一透明导电层、第一玻璃基底。