[发明专利]一种湿法刻蚀的上料装置在审
申请号: | 201711267254.X | 申请日: | 2017-12-05 |
公开(公告)号: | CN107919307A | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | 林建伟;何大娟;刘志锋;季根华;刘勇 | 申请(专利权)人: | 泰州中来光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L31/18 |
代理公司: | 北京金之桥知识产权代理有限公司11137 | 代理人: | 林建军 |
地址: | 225500 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 湿法 刻蚀 装置 | ||
1.一种湿法刻蚀的上料装置,包括上料主机台、反应槽、滚轮、储液槽,其特征在于:所述反应槽设置在所述上料主机台上,所述滚轮设置在所述反应槽的顶部,所述反应槽里放置有腐蚀液,所述反应槽中的腐蚀液的液面高于所述滚轮的底部,所述储液槽中的化学品和水通过循环泵输送至所述反应槽,所述储液槽上设置有化学品配液添加系统和水配液添加系统。
2.根据权利要求1所述的一种湿法刻蚀的上料装置,其特征在于:所述储液槽中还设置有化学品自动补给系统和水自动补给系统。
3.根据权利要求1或2所述的一种湿法刻蚀的上料装置,其特征在于:所述滚轮为螺纹带液滚轮或海绵带液滚轮,所述滚轮带有定向功能。
4.根据权利要求3所述的一种湿法刻蚀的上料装置,其特征在于:硅片通过所述滚轮之间的辊道水平输送,所述硅片的前部刚进入到反应槽中时,所述硅片的头部边缘略微接触反应槽中的腐蚀液的液面,以使得所述腐蚀液在硅片下表面形成薄膜。
5.根据权利要求1或2所述的一种湿法刻蚀的上料装置,其特征在于:所述湿法刻蚀的上料装置还包括独立的循环系统和抽风系统。
6.根据权利要求5所述的一种湿法刻蚀的上料装置,其特征在于:所述反应槽的材质为聚丙烯,其长度为400-1000nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泰州中来光电科技有限公司,未经泰州中来光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711267254.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:薄膜电容生产用的切膜纠偏机构
- 下一篇:一种生产防阻燃泡棉用模切机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造