[发明专利]一种湿法刻蚀的上料装置

说明书

技术领域

本发明涉及晶体硅太阳能电池制造过程中的湿法刻蚀的技术领域，具体涉及一种湿法刻蚀的上料装置。

背景技术

晶体硅太阳能电池常规生产工艺一般包括以下步骤：清洗、制绒、扩散、刻蚀、去PSG、PECVD、丝网印刷和烧结。其中，刻蚀是其中的一个重要环节，其目的是去掉硅片背面和四周的PN结，以使硅片的正面和背面相互绝缘。

目前，链式结构设备是一种常用的湿法刻蚀设备，其原理是：在HF/HNO₃体系中，利用表面张力和毛细力的作用去除边缘和背面的PN结，而不会影响太阳能电池的结构。这种设备包括：刻蚀槽、水喷淋槽、碱槽、水喷淋槽、去PSG槽、水喷淋槽和吹干装置。

随着各种新型高效电池的兴起，钝化技术对电池表面的要求越来越高，由于高温炉管等设备本身的限制，制备过程中容易带来另一面的绕镀现象，如何去除这一面绕镀的生成物，如磷硅玻璃PSG、硼硅玻璃BSG或氮化硅SiNx等物质，是电池制备过程中的一大难点。如果直接走湿法刻蚀，刻蚀并不能完全将绕镀生成物去除干净，因而会造成较高的表面复合速率，大大地降低电池的转换效率。

目前，在湿法刻蚀机台上解决该问题的工艺流程如下：第一台设备：入料→单边刻蚀→水洗→吹干→出料；第二台设备：上料→刻蚀→水洗→HF酸洗→水洗→下料。这种方法不仅导致了设备的结构长，而且还增加了制造成本。因此，如何在不增加工序的基础上实现单面刻蚀是本领域的一大技术挑战。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种结构简单、成本低的晶体硅太阳能电池制造过程中的湿法刻蚀的上料装置。

本发明的一种湿法刻蚀的上料装置，其技术方案为：

一种湿法刻蚀的上料装置，包括上料主机台、反应槽、滚轮、储液槽，所述反应槽设置在所述上料主机台上，所述滚轮设置在所述反应槽的顶部，所述反应槽里放置有腐蚀液，所述反应槽中的腐蚀液的液面高于所述滚轮的底部，所述储液槽中的化学品和水通过所述循环泵输送至所述反应槽，所述储液槽上设置有化学品配液添加系统和水配液添加系统。

其中，所述储液槽中还设置有化学品自动补给系统和水自动补给系统。

其中，所述滚轮为螺纹带液滚轮或海绵带液滚轮，所述滚轮带有定向功能。

其中，硅片通过所述滚轮之间的辊道水平输送，所述硅片的前部刚进入到反应槽中时，所述硅片的头部边缘略微接触反应槽中的腐蚀液的液面，以使得所述腐蚀液在硅片下表面形成薄膜；所述腐蚀液为氢氟酸。

其中，所述湿法刻蚀的上料装置还包括独立的循环系统和抽风系统。

其中，所述反应槽的材质为聚丙烯，所述反应槽的长度为400-1000nm。

本发明的实施包括以下技术效果：

(1)、本发明将上料和反应槽集成于一个单元槽，在完成硅片上料的同时，还可实现去除单面磷硅玻璃PSG、硼硅玻璃BSG、氮化硅SiNx等工艺的功能槽作用，这样使得湿法刻蚀的上料装置的上料主机台增加了反应槽的功能，从而减少了制造工序及设备成本，节约了功能槽的长度，节省了设备空间，减少了多道滚轮转动带来的碎片。

(2)、本发明将反应槽直接设置在湿法刻蚀的上料装置的上料主机台上，使得硅片经过该反应槽时，可以直接将反应槽中的腐蚀液带到后面的刻蚀槽，从而降低了刻蚀槽的成本。

(3)、本发明的湿法刻蚀的上料装置结构简单、成本低，适于广泛推广使用。

附图说明

图1为本发明的一种湿法刻蚀的上料装置的结构示意图。

图中，1-上料主机台，2-反应槽，3-滚轮，4-储液槽，5-化学品配液添加系统，6-水配液添加系统，7-化学品自动补给系统，8-水自动补给系统。

具体实施方式

下面将结合实施例以及附图对本发明加以详细说明，需要指出的是，所描述的实施例仅旨在便于对本发明的理解，而对其不起任何限定作用。