[发明专利]硅晶圆洗剂与清洗硅晶圆的方法

说明书

本发明提出一种硅晶圆洗剂与一种清洗硅晶圆的方法。所述硅晶圆洗剂主要由1wt％～3wt％的柠檬酸、2.5wt％～5wt％的碳酸氢钠、柠檬烯、氢氧化钾以及水组成。使用所述硅晶圆洗剂清洗硅晶圆能提升清洁效率。

技术领域

本发明是有关于一种硅晶圆的清洗技术，且特别是有关于一种硅晶圆洗剂与清洗硅晶圆的方法。

背景技术

硅晶圆是目前用于各种技术的基板的主要材料之一，例如太阳能电池用硅晶圆。

太阳能电池用硅晶圆的制作是将硅晶棒利用线锯(wire saw)的方式进行切割。然而，硅晶棒在采用上述线锯技术进行切割加工后，硅晶圆表面会残留大量的切削产物(如冷却液、硅切屑、金属等)，随加工时间拉长将会形成氧化物，促进团聚现象发生，造成后续清洗加工成本上升。

而且，硅晶圆表面除了有切削产物需去除外，也会有油污残留，因此亟需寻求一种适合的洗剂，以便有效率地清洁硅晶圆。

发明内容

本发明提供一种硅晶圆洗剂，能提升对硅晶圆的清洁效率。

本发明提供一种清洗硅晶圆的方法，可在常温下清洗硅晶圆且清洁效率佳。

本发明的硅晶圆洗剂，主要由以下成分组成：1wt％～3wt％的柠檬酸、2.5wt％～5wt％的碳酸氢钠、柠檬烯、氢氧化钾以及溶剂。

在本发明的一实施例中，上述的柠檬烯的含量为0.2wt％～1wt％。

在本发明的一实施例中，上述的氢氧化钾的含量为0.25wt％～0.75wt％。

在本发明的一实施例中，上述的硅晶圆洗剂的pH值在10以下。

在本发明的一实施例中，上述的硅晶圆洗剂的pH值为7.0～10.0。

在本发明的一实施例中，上述的溶剂可为水。

本发明的清洗硅晶圆的方法则是将硅晶圆在常温下浸泡至上述的硅晶圆洗剂。

在本发明的另一实施例中，上述的浸泡时间为600秒～1200秒。

基于上述，本发明通过具有特定成分与具有特定比例范围的成分来构成硅晶圆洗剂，因此能达到在常温且有效率地清洁硅晶圆的效果。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1是依照本发明的一实施例的一种清洗硅晶圆的示意图。

附图标记说明：

100：硅晶圆；

102：支撑架；

104：清洗槽

106：硅晶圆洗剂。

具体实施方式

以下，将详细描述本发明的实施例。然而，这些实施例为例示性，且本发明揭露不限于此。