[发明专利]半导体器件制造工具及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造工具，包括：

第一湿蚀刻清洁站；

进料罐，与所述第一湿蚀刻清洁站可操作地连接；

第一等离子体处理站；

传送站，可操作地位于所述第一湿蚀刻清洁站和所述第一等离子体处理站之间；以及

外壳，围绕所述第一湿蚀刻清洁站、所述第一等离子体处理站和所述传送站的全部，

其中，所述进料罐具有输入湿蚀刻剂的第一输入端，输入用于恢复使用过的所述湿蚀刻剂的有效性的额外组分的第二输入端和输入来自所述第一湿蚀刻清洁站的已使用过的所述湿蚀刻剂的第三输入端。

2.根据权利要求1所述的半导体器件制造工具，还包括第二湿蚀刻清洁站。

3.根据权利要求2所述的半导体器件制造工具，其中，所述第二湿蚀刻清洁站也可操作地连接至所述进料罐。

4.根据权利要求1所述的半导体器件制造工具，还包括第二等离子体处理站。

5.根据权利要求4所述的半导体器件制造工具，还包括与所述第一等离子体处理站和所述第二等离子体处理站二者可操作地连接的第一处理气体供应器。

6.根据权利要求5所述的半导体器件制造工具，其中，所述第一处理气体供应器包括电荷释放处理气体。

7.根据权利要求1所述的半导体器件制造工具，其中，所述第一湿蚀刻清洁站是旋转站。

8.一种半导体器件制造工具，包括：

湿蚀刻部分，包括多个湿蚀刻室；

进料罐，连接至所述多个湿蚀刻室的每个湿蚀刻室；

第一传送站，与所述湿蚀刻室中的至少一个协同操作；以及

等离子体处理部分，包括多个等离子体处理室，其中，所述多个等离子体处理室中的至少一个与所述第一传送站协同操作，其中，所述湿蚀刻部分、所述第一传送站和所述等离子体处理部分是单个机器的部分，

其中，所述进料罐具有第一输入端，第二输入端和第三输入端，所述第一输入端输入湿蚀刻剂，所述第二输入端输入用于恢复使用过的所述湿蚀刻剂的有效性的额外组分，以及所述第三输入端输入已使用过的所述湿蚀刻剂。

9.根据权利要求8所述的半导体器件制造工具，还包括连接至所述多个等离子体处理室的每个的第一处理气体供应器。

10.根据权利要求9所述的半导体器件制造工具，其中，所述第一处理气体供应器供应包括电荷释放处理气体的气体。

11.根据权利要求10所述的半导体器件制造工具，其中，所述第一输入端连接至混合单元。

12.根据权利要求11所述的半导体器件制造工具，其中，所述第二输入端是尖峰输入端。

13.根据权利要求12所述的半导体器件制造工具，其中，所述第三输入端是来自所述多个湿蚀刻室的再循环输入端。

14.根据权利要求8所述的半导体器件制造工具，其中，所述湿蚀刻室中的至少一个包括可旋转卡盘。

15.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

形成穿过介电层的开口以暴露半导体晶圆的导电元件；

将所述半导体晶圆放置到第一处理工具中；

在所述第一处理工具内，利用湿蚀刻剂来湿清洁所述半导体晶圆，其中，所述湿蚀刻剂包括第一蚀刻剂溶液、再循环的已使用的所述第一蚀刻剂溶液和额外的氧化剂；

等离子体清洁所述第一处理工具内的所述半导体晶圆；以及

在等离子体清洁所述半导体晶圆之后从所述第一处理工具去除所述半导体晶圆。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，至少部分地使用旋转工艺实施所述湿清洁。