[发明专利]半导体器件制造工具及其制造方法

说明书

使用清洁工艺来制造半导体器件。清洁工艺使用具有湿清洁部分和等离子体清洁部分的半导体制造工具。将半导体器件放置在湿清洁部分内的湿清洁室中，在其中实施湿清洁工艺。一旦完成，并且没有破坏氛围，从湿清洁部分去除半导体器件并且将其放置在等离子体清洁部分内的等离子体清洁室内。然后实施等离子体清洁。本发明的实施例还涉及半导体器件制造工具及其制造方法。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体器件制造工具及其制造方法。

背景技术

半导体器件用于例如诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备的各种电子应用中。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘层或介电层、导电层和半导体材料层以及使用光刻工艺和蚀刻工艺图案化各个材料层以在各个材料层上形成电路组件和元件来制造半导体器件。

半导体产业通过最小部件尺寸的不断减小来持续地改进各个电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许在给定的区域中集成更多的组件。然而，随着最小部件尺寸的减小，在使用的每个工艺中会出现额外的问题，并且应该解决这些额外的问题。

发明内容

本发明的实施例提供了一种半导体器件制造工具，包括：第一湿蚀刻清洁站；第一等离子体处理站；以及传送站，可操作地位于所述第一湿蚀刻清洁站和所述第一等离子体处理站之间；以及外壳，围绕所述第一湿蚀刻清洁站、所述第一等离子体处理站和所述传送站的全部。

本发明的另一实施例提供了一种半导体器件制造工具，包括：湿蚀刻部分，包括多个湿蚀刻室；第一传送站，与所述湿蚀刻室中的至少一个协同操作；以及等离子体处理部分，包括多个等离子体处理室，其中，所述多个等离子体处理室中的至少一个与所述第一传送站协同操作，其中，所述湿蚀刻部分、所述第一传送站和所述等离子体处理部分是单个机器的部分。

本发明的又一实施例提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成穿过介电层的开口以暴露半导体晶圆的导电元件；将所述半导体晶圆放置到第一处理工具中；在所述第一处理工具内湿清洁所述半导体晶圆；等离子体清洁所述第一处理工具内的所述半导体晶圆；以及在等离子体清洁所述半导体晶圆之后从所述第一处理工具去除所述半导体晶圆。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1A至图1C示出根据一些实施例在低k电介质中形成通孔开口和沟槽开口。

图2A至图2C示出根据一些实施例的半导体制造工具。

图3示出根据一些实施例的在通孔开口和沟槽开口内形成导电材料。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现本发明的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接触的方式形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

而且，为了便于描述，在此可以使用诸如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、“在…之上”、“上部”等空间相对术语以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，并且在此使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。