[发明专利]绝缘材料的制备方法在审
申请号: | 201711269819.8 | 申请日: | 2017-12-05 |
公开(公告)号: | CN107936478A | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 文斌;文劲杰 | 申请(专利权)人: | 四川云烽电工材料科技有限公司 |
主分类号: | C08L63/00 | 分类号: | C08L63/00;C08L39/06;C08K13/06;C08K9/04;C08K3/36;C08K7/10;C08K5/11;C08K3/32;C08J3/28 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)11369 | 代理人: | 郑健 |
地址: | 621000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘材料 制备 方法 | ||
1.一种绝缘材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤一、按重量份,取改性纳米二氧化硅10~15份、阻燃剂1~3份、葵二酸二丁酯1~3份、三聚磷酸钠1~5份、衣康酸酐1~3份、防老剂1~3份、N-甲基吡咯烷酮3~5份、分散剂1~3份加入乙醇水溶液30~50份,加热搅拌30~60min,然后超声分散10~30min,过滤,烘干,得到混合物Ⅰ;
步骤二、按重量份,取环氧树脂30~50份、聚乙烯吡咯烷酮2~6份、甲基硅酸钠8~10份、六氢苯酐1~2份、苯甲酸酐1~3份、乙二醇二缩水甘油醚0.1~0.3份、N-苯基-2-萘胺0.5~1.5份,加入带搅拌的密封容器中,然后将该密封容器置于1.5MeV、30mA的电子加速器中进行辐照搅拌处理60min,得混合物Ⅱ;
步骤三、将混合物Ⅰ和混合物Ⅱ加入超临界反应装置中,同时加入3~5份碳化硅晶须,在装置密封后通入二氧化碳至30~60MPa、温度70~80℃的条件下搅拌2~3小时,然后卸压,冷却至室温,固化,得到绝缘材料。
2.如权利要求1所述的绝缘材料的制备方法,其特征在于,所述防老剂为重量比为2:1的辛癸酸二亚甲基锡和二甲基锡;所述分散剂为1-乙基-3-甲基氯化咪唑、1-丁基-3-甲基氯化咪唑、1-乙基-3-甲基咪唑乳酸中的任意一种。
3.如权利要求1所述的绝缘材料的制备方法,其特征在于,所述超声分散的频率为30~50kHz。
4.如权利要求1所述的绝缘材料的制备方法,其特征在于,所述辐照采用的辐照剂量率为200~300kGy/h,辐照剂量为400~600kGy,搅拌速度为100~200r/min。
5.如权利要求1所述的绝缘材料的制备方法,其特征在于,所述改性纳米二氧化硅的制备方法为:按重量份;取10~15份纳米二氧化硅、1~2份纳米二氧化钇和分散剂0.1~0.3份加入100份丁醇水溶液中,超声分散30min;然后将超声分散后的溶液加入带搅拌的密封容器中,加入0.5~1.5份钛酸酯偶联剂,然后将该密封容器置于1.5MeV、30mA的电子加速器中进行辐照搅拌处理60min,过滤,乙醇洗涤,干燥,得到改性纳米二氧化硅。
6.如权利要求5所述的绝缘材料的制备方法,其特征在于,所述改性纳米二氧化硅的制备还包括:取干燥后的物料10~15份,加入超临界反应装置中,同时加入丙烯酸丁酯20~30份、N-乙烯基咪唑3~5份、过氧化苯甲酰0.1~0.3份、水100~120份,在装置密封后通入二氧化碳至30~40MPa、温度70~80℃的条件下搅拌反应2~3小时,然后卸去二氧化碳压力,加入20~25份十六烷基三甲基溴化铵,然后再次注入二氧化碳至压力为40~60MPa,搅拌0.5~1小时,卸压,过滤,用乙醇洗涤,干燥,得到改性纳米二氧化硅。
7.如权利要求5所述的绝缘材料的制备方法,其特征在于,所述超声分散的频率为30~50kHz;所述分散剂为1-乙基-3-甲基氯化咪唑、1-丁基-3-甲基氯化咪唑、1-乙基-3-甲基咪唑乳酸中的任意一种。
8.如权利要求6所述的绝缘材料的制备方法,其特征在于,所述辐照采用的辐照剂量率为100~200kGy/h,辐照剂量为200~400kGy,搅拌速度为100~200r/min。
9.如权利要求1所述的绝缘材料的制备方法,其特征在于,所述环氧树脂替换为改性环氧树脂;所述改性环氧树脂的制备方法为:按重量份,取50~100份环氧树脂和5~10份呋喃二甲酸溶解在200~300份甲苯中,然后加入超临界装置中,加入二甲基乙酰胺0.5~1.5份,在装置密封后通入二氧化碳至30~60MPa、温度70~80℃的条件下搅拌2~3小时,然后卸压,冷却至室温,乙醇沉淀,干燥,得到改性环氧树脂。
10.如权利要求1所述的绝缘材料的制备方法,其特征在于,所述环氧树脂为双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚型缩水甘油醚、脂肪族缩水甘油醚和酚醛环氧树脂中的任意一种。
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