[发明专利]一种驱动电阻电路在审
| 申请号： | 201711271348.4 | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN109872746A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 张宏广 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4093 | 分类号： | G11C11/4093;H03K19/00 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 张臻贤;武晨燕 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 支路 电阻 控制信号 驱动电阻 导通 电路 预定电阻 两组 截止 输出 串并联 关断 减小 芯片 | ||
1.一种驱动电阻电路，其特征在于，包括：
至少两组支路，每组支路包括一串联连接的电阻和MOS管，所述MOS管的栅极与一控制信号相连，通过所述控制信号能够控制所述MOS管的导通或关断；通过所述控制信号来控制所述支路的导通或截止，使得所述支路输出的电阻值为第一预定电阻值，其中，所述两个支路中电阻的阻值不同。
2.根据权利要求1所述的驱动电阻电路，其特征在于，每组所述支路包括第一电阻支路和第二电阻支路，所述第一电阻支路和所述第二电阻支路中的每一个均包括至少一串联连接的电阻和MOS管，通过所述控制信号控制所述MOS管的导通或关断，使得所述支路输出的电阻值为第二预定电阻值。
3.根据权利要求2所述的驱动电阻电路，其特征在于，所述第一电阻支路中的MOS管为P型MOS管，以及所述第二电阻支路中的MOS管为N型MOS管。
4.根据权利要求1所述的驱动电阻电路，其特征在于，所述第一预定电阻值包括以下至少一种：240欧姆、120欧姆、80欧姆、60欧姆、48欧姆、40欧姆和34欧姆。
5.根据权利要求2所述的驱动电阻电路，其特征在于，所述第二预定电阻值包括以下至少一种：240欧姆、120欧姆和60欧姆。
6.根据权利要求1所述的驱动电阻电路，其特征在于，所述支路包括至少四组支路，并且所述至少四组支路中的MOS管接收控制信号，使所述至少四组支路输出的电阻值为第一预定电阻值。
7.根据权利要求1所述的驱动电阻电路，其特征在于，所述支路包括至少三组支路，并且所述至少三组支路中的MOS管接收所述控制信号，使所述至少三组支路输出的电阻值为所述第一预定电阻值。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711271348.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
