[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

第一电路，所述第一电路保持第一累积劣化应力计数值；

第二电路，所述第二电路保持第二累积劣化应力计数值；

第三电路，所述第三电路保持累积操作时间的计数值或者与所述累积操作时间的计数值对应的值，以及

第四电路或者操作单元，所述第四电路或者所述操作单元接收所述第一累积劣化应力计数值、所述第二累积劣化应力计数值、以及所述累积操作时间的计数值或者与所述累积操作时间的值对应的值。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述第四电路或者所述操作单元计算与所述第一累积劣化应力计数值和所述第二累积劣化应力计数值不同的第三累积劣化应力计数值。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述第四电路或者所述操作单元确定所述第一累积劣化应力计数值和所述第二累积劣化应力计数值是否适当。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述第一电路包括第一环形振荡器和对所述第一环形振荡器的输出进行计数的第一累积应力计数器，以及

其中，所述第二电路包括第二环形振荡器和对所述第二环形振荡器的输出进行计数的第二累积应力计数器。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，

其中，所述第三电路包括定时器和用于接收所述定时器的输出的累积时间保持电路。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，

其中，所述第三电路包括用于控制间歇操作的间歇操作控制电路、以及用于对所述间歇操作控制电路的输出进行计数和保持的累积计数时间保持电路。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括保存控制电路和非易失性存储器，

其中，所述保存控制电路执行用于将所述第一累积劣化应力计数值、所述第二累积劣化应力计数值、以及所述累积操作时间的计数值或者与所述累积操作时间的值对应的值保存到所述非易失性存储器中的控制。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述第一累积劣化应力计数值与具有第一温度依赖性的第一劣化因子有关，以及

其中，所述第二累积劣化应力计数值与具有第二温度依赖性的第二劣化因子有关，所述第二温度依赖性和所述第一温度依赖性不同。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述第一累积劣化应力计数值与具有第一温度依赖性的第一劣化因子有关，以及

其中，所述第二累积劣化应力计数值与具有第二温度依赖性和电压依赖性的第二劣化因子有关。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述第一累积劣化应力计数值与具有第一温度依赖性和第一电压依赖性的第一劣化因子有关，以及

其中，所述第二累积劣化应力计数值与具有第二温度依赖性和第二电压依赖性的第二劣化因子有关。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括：

环形振荡器；以及

处理电路，所述处理电路被耦合至所述环形振荡器的输出，

其中，

所述处理电路包括：

用于向所述第一电路供应与所述环形振荡器的频率成比例的值的电路，以及

用于向所述第二电路供应与所述环形振荡器的所述频率的q2次幂成比例的值的电路。