[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括形成第一器件和第二器件，其中形成所述第一器件包括：

形成从第一隔离绝缘层突出的鳍结构，所述第一隔离绝缘层设置在衬底上方；

形成由与所述第一隔离绝缘层不同的材料制成的第二隔离绝缘层，从而暴露所述鳍结构的第一上部；

在所述鳍结构的暴露的第一上部上方形成伪栅极结构；

通过将所述伪栅极结构用作蚀刻掩模，蚀刻所述第二隔离绝缘层；

去除所述伪栅极结构以形成栅极空间；

在所述栅极空间蚀刻所述第二隔离绝缘层，使得所述鳍结构的第二上部从所述第一隔离绝缘层暴露；以及

在所述鳍结构的暴露的所述第二上部上方形成栅极介电层，并且在所述栅极介电层上方形成栅电极层，

其中，在形成所述第一器件的过程中，所述第二隔离绝缘层的围绕所述第二器件的鳍结构的部分始终保持高度不变。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二隔离绝缘层由SiCO和SiCON中的至少一种制成。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二上部的高度为所述第一上部的高度的1.5至3倍。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，

在形成所述伪栅极结构之后，在所述伪栅极结构的相对两侧上形成侧壁间隔件，以及

所述侧壁间隔件由与所述第一隔离绝缘层和所述第二隔离绝缘层不同的材料制成。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述栅电极层的侧面通过所述栅极介电层被所述侧壁间隔件和所述第二隔离绝缘层覆盖。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在通过将所述伪栅极结构用作蚀刻掩模蚀刻所述第二隔离绝缘层之后，暴露所述鳍结构的将作为源极区域或漏极区域的部分。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：

在所述鳍结构的暴露部分上方形成外延层；以及

在所述外延层上方形成第一层间介电层。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：

蚀刻所述第一层间介电层的上部，从而形成接触开口，所述外延层的上部暴露在所述接触开口中；以及

在所述接触开口中形成导电材料。

9.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

形成均从第一隔离绝缘层突出的第一鳍结构和第二鳍结构，所述第一隔离绝缘层设置在衬底上方；

形成第二隔离绝缘层，所述第二隔离绝缘层由与所述第一隔离绝缘层不同的材料制成，使得所述第一鳍结构的第一上部和所述第二鳍结构的第一上部暴露；

在所述第一鳍结构的暴露的第一上部上方形成第一伪栅极结构，以及在所述第二鳍结构的暴露的第一上部上方形成第二伪栅极结构；

通过将所述第一伪栅极结构用作蚀刻掩模来蚀刻所述第二隔离绝缘层，同时通过第一覆盖层覆盖所述第二伪栅极结构和周围的区域；

去除所述第一伪栅极结构以形成第一栅极空间并且去除所述第二伪栅极结构以形成第二栅极空间；

在所述第一栅极空间中蚀刻所述第二隔离绝缘层，使得所述第一鳍结构的第二上部从所述第一隔离绝缘层暴露，同时通过第二覆盖层覆盖所述第二栅极空间和周围区域；

在所述第一鳍结构的暴露的第二上部和所述第二鳍结构的上部上方形成栅极介电层，以及

在所述第一鳍结构上方的所述栅极介电层上形成第一栅电极层，以及在所述第二鳍结构上方的所述栅极介电层上形成第二栅电极层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中：

所述第一覆盖层是光刻胶图案，并且在通过将所述第一伪栅极结构用作蚀刻掩模蚀刻所述第二隔离绝缘层之后被去除，以及

所述第二覆盖层是光刻胶图案，并且在所述第一栅极空间中蚀刻所述第二隔离绝缘层之后被去除。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第二隔离绝缘层由SiCO和SiCON中的至少一种制成。