[发明专利]一种新型石墨舟在审
申请号: | 201711274552.1 | 申请日: | 2017-12-06 |
公开(公告)号: | CN108165955A | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 王光涛 | 申请(专利权)人: | 中建材浚鑫科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;H01L21/673;H01L31/18 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 姚姣阳 |
地址: | 214443 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 石墨舟 叶片 卡点 硅片 新型石墨 有效地减少 色差 固定硅片 平行设置 重新设计 插片 镀膜 返工 卡住 翘曲 受力 合格率 报警 | ||
本发明揭示了一种新型石墨舟,该石墨舟包括至少8片石墨舟叶片,分别为第一石墨舟叶片、第二石墨舟叶片、第三石墨舟叶片、第四石墨舟叶片、第五石墨舟叶片、第六石墨舟叶片、第七石墨舟叶片和第八石墨舟叶片,第一石墨舟叶片和第八石墨舟叶片均为最外侧石墨舟叶片,每个石墨舟叶片相互平行设置,每个所述石墨舟叶片上均设置有用于固定硅片的第一卡点、第二卡点和第三卡点,硅片通过所述第一卡点、第二卡点和第三卡点固定于每个石墨舟叶片上。本技术方案可以有效地减少硅片在镀膜时的翘曲,从而减少色差、返工和报警,提高了合格率和产量,重新设计了卡点位置,卡点可更好的卡住硅片,使硅片在舟中的受力更均匀,卡点位置可兼顾插片的可行性。
技术领域
本发明涉及太阳能电池板制造技术领域,更具体地说,涉及一种新型石墨舟。
背景技术
PECVD:等离子加强化学气相沉积法,即利用SIH4和NH3在等离子体辉光放电状态下,在硅片绒面形成一层浅蓝色氮化硅减反射膜。因石墨具有良好的导电性和稳定性,在PECVD中硅片进炉用的载具为石墨舟。在太阳能和半导体生产过程中,在进行镀膜时,将未镀膜的硅片插入PECVD镀膜设备的载片器上,通常载片器由石墨舟来实现,即将未镀膜的硅片插入石墨舟,然后,将石墨舟放置在PECVD真空镀膜设备腔体内,采用PECVD工艺进行放电镀膜,镀膜结束后,取出石墨舟,将硅片从石墨舟上卸取下来。硅片放置在石墨舟上需要卡点卡住。因石墨舟是消耗型物品,因此石墨舟设计多采用多叶片组合式设计。石墨舟卡点不但应兼顾卡紧硅片,还要注意组装石墨舟的紧固部件(陶瓷棒和陶瓷圈)位置对插片的影响。
现在的石墨舟叶片的卡点设计如图1所示,2号卡点位置较低,硅片在舟上时,右上角位置缺乏固定,由于高温、应力等因素,容易翘曲。现在的硅电池PECVD技术又存在小炉管进大舟的情况,导致石墨舟的叶片间距变小。综合以上因素,硅片在炉内的翘曲很容易造成色差,严重的会导致射频报警出炉,影响合格率和产量。
发明内容
本发明的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题,提供一种新型石墨舟。
本发明的目的将通过以下技术方案得以实现:一种新型石墨舟,所述石墨舟包括至少8片石墨舟叶片,分别为第一石墨舟叶片100、第二石墨舟叶片、第三石墨舟叶片、第四石墨舟叶片、第五石墨舟叶片、第六石墨舟叶片、第七石墨舟叶片和第八石墨舟叶片,所述第一石墨舟叶片和第八石墨舟叶片均为最外侧石墨舟叶片,每个所述石墨舟叶片相互平行设置,每个所述石墨舟叶片上对应放置硅片的位置镂空,所述镂空形状为圆角正方形、方形、网状形,每个所述石墨舟叶片上均设置有用于固定硅片的第一卡点、第二卡点和第三卡点,硅片通过所述第一卡点、第二卡点和第三卡点固定于每个石墨舟叶片上,所述第一卡点设置于镂空形状的左上侧,第二卡点设置于镂空形状的左侧,第三卡点设置于镂空形状的下方。
优选地,所述镂空形状为圆角正方形,第一卡点距离镂空圆角正方形相应边垂直距离为Xmm,第二卡点距离镂空圆角正方形相应边垂直距离为Ymm,第二卡点侧下方卡点位置以镂空的圆角正方形侧边为平行方向,平移至叶片横向中轴位置,第三卡点距离镂空圆角正方形相应边垂直距离为Zmm,第一卡点距离镂空圆角正方形相应边水平距离为Amm,第二卡点距离镂空圆角正方形相应边水平距离为Bmm,第三卡点距离镂空圆角正方形相应边水平距离为Cmm。
优选地,所述镂空的形状与被放置硅片的形状、大小相匹配,每个石墨舟叶片被设计成可放置六片156×156规格硅片。
优选地,每个所述石墨舟叶片的形状、大小均一致。
优选地,每个所述石墨舟叶片之间的间距相同。
优选地,所述第一卡点、第二卡点和第三卡点为石墨材质。
优选地,每个所述卡点为分离性可更换元件。
优选地,每个所述卡点均包括紧固部和两个突出部,两个突起部对称分布在紧固部的两侧。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的