[发明专利]半导体存储器装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：

半导体基底，包括由器件隔离层限定的有源区，有源区具有第一导电类型；

第一杂质区，位于有源区中；

反熔丝栅电极，位于半导体基底上，反熔丝栅电极横跨第一杂质区延伸；

反熔丝栅极电介质层，位于反熔丝栅电极与第一杂质区之间；

选择栅电极，位于半导体基底上，选择栅电极横跨有源区延伸，选择栅电极与反熔丝栅电极间隔开；

选择栅极电介质层，位于选择栅电极与有源区之间；

第二杂质区，位于选择栅电极与反熔丝栅电极之间的有源区中，第二杂质区连接到第一杂质区；以及

虚设杂质区，位于反熔丝栅电极的一侧的有源区中，虚设杂质区与第二杂质区间隔开，

其中，第一杂质区和第二杂质区具有第二导电类型的杂质，第一杂质区具有小于第二杂质区的杂质浓度的杂质浓度，

其中，虚设杂质区包括第二导电类型的杂质，并且具有与第二杂质区基本相同的杂质浓度。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，虚设杂质区与器件隔离层接触。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，器件隔离层与反熔丝栅电极的侧壁之间的距离小于反熔丝栅电极与选择栅电极之间的距离。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，第一杂质区具有小于第二杂质区的深度的深度。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，选择栅电极具有与反熔丝栅电极基本相同的宽度。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：

第三杂质区，位于选择栅电极的一侧的有源区中，第三杂质区与第二杂质区间隔开，

其中，第三杂质区包括第二导电类型的杂质，并且具有与第二杂质区基本相同的杂质浓度。

7.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：

半导体基底，包括由器件隔离层限定的有源区，有源区具有第一导电类型；

反熔丝栅电极，位于半导体基底上，并且横跨有源区延伸；

一对选择栅电极，位于反熔丝栅电极之间，并且横跨有源区延伸；

第一杂质区，包括掺杂在反熔丝栅电极下方的有源区中的第二导电类型的杂质；

反熔丝栅极电介质层，位于反熔丝栅电极与第一杂质区之间；

选择栅极电介质层，位于选择栅电极与有源区之间；

第二杂质区，位于选择栅电极与反熔丝栅电极之间，并且掺杂有第二导电类型的杂质；以及

虚设杂质区，位于一对反熔丝栅电极之间的有源区中，虚设杂质区掺杂有第二导电类型的杂质，

其中，第一杂质区中的第二导电类型的杂质浓度比第二杂质区中的第二导电类型的杂质浓度小，

其中，虚设杂质区和第二杂质区具有基本相同的第二导电类型的杂质浓度。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中，器件隔离层具有其在相邻的反熔丝栅电极之间延伸的部分，器件隔离层限定多个有源区。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，其中，器件隔离层的所述部分与反熔丝栅电极的侧壁之间的距离小于反熔丝栅电极与选择栅电极之间的距离。

10.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中，

彼此相邻的反熔丝栅电极以第一距离彼此间隔开，

反熔丝栅电极和相邻的选择栅电极以与第一距离基本相同的第二距离彼此间隔开。

11.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中，反熔丝栅电极具有小于选择栅电极的宽度的宽度。

12.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中，第一杂质区具有小于第二杂质区的深度的深度。