[发明专利]半导体存储器装置

说明书

提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：半导体基底，具有由器件隔离层限定的第一导电类型的有源区；第一杂质区，位于有源区中；反熔丝栅电极，位于半导体基底上，并且横跨第一杂质区延伸；反熔丝栅极电介质层，位于反熔丝栅电极与第一杂质区之间；选择栅电极，位于半导体基底上，并且横跨有源区延伸；选择栅极电介质层，位于选择栅电极与有源区之间；以及第二杂质区，位于选择栅电极与反熔丝栅电极之间的有源区中。第一杂质区和第二杂质区具有第二导电类型的杂质。第一杂质区具有小于第二杂质区的杂质浓度的杂质浓度。

本专利申请要求于2017年1月17日提交的第10-2017-0008221号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

示例实施例涉及一种半导体存储器装置，并且/或者涉及一种包括反熔丝单元阵列的半导体存储器装置。

背景技术

用于计算机、移动装置等的半导体装置通常高度集成并且表现出高性能。作为半导体装置的示例的存储器装置包括具有提升的容量和速度的存储器单元，并且目前在减小包括多个存储器单元的半导体装置的尺寸方面做出了许多努力，其中，所述多个存储器单元具有高容量并且被构造为以更高速度操作。

为了建立半导体装置的操作环境，半导体装置的容量越高，可以存储的信息量越多。使用与反熔丝电路相关的技术，以存储用于设定半导体装置的操作环境的信息。

发明内容

本发明构思的实施例提供了具有优异电气特性的包括反熔丝单元的半导体存储器装置。

本发明构思的目的不限于上述目的，并且通过下面的描述，本领域技术人员将清楚地理解上面未提及的其它目的。

根据本发明构思的示例实施例，半导体存储器装置可以包括：半导体基底，包括由器件隔离层限定的有源区，有源区具有第一导电性或第一导电类型；第一杂质区，位于有源区中；反熔丝栅电极，位于半导体基底上，并且横跨第一杂质区延伸；反熔丝栅极电介质层，位于反熔丝栅电极与第一杂质区之间；选择栅电极，位于半导体基底上，并且横跨有源区延伸，选择栅电极与反熔丝栅电极间隔开；选择栅极电介质层，位于选择栅电极与有源区之间；以及第二杂质区，位于选择栅电极与反熔丝栅电极之间的有源区中，第二杂质区连接到第一杂质区。第一杂质区和第二杂质区可以具有第二导电性或第二导电类型的杂质。第一杂质区可以具有小于第二杂质区的杂质浓度的杂质浓度。

根据本发明构思的示例实施例，半导体存储器装置可以包括：半导体基底，包括由器件隔离层限定的有源区，有源区具有第一导电性或第一导电类型；反熔丝栅电极，位于半导体基底上，并且横跨有源区延伸；一对选择栅电极，位于反熔丝栅电极之间，并且横跨有源区延伸；第一杂质区，包括掺杂在反熔丝栅电极下方的有源区中的第二导电性或第二导电类型的杂质；反熔丝栅极电介质层，位于反熔丝栅电极与第一杂质区之间；选择栅极电介质层，位于选择栅电极与有源区之间；以及第二杂质区，位于选择栅电极与反熔丝栅电极之间，并且掺杂有第二导电性或第二导电类型的杂质。第一杂质区中的第二导电性或第二导电类型的杂质浓度可以比第二杂质区中的第二导电性或第二导电类型的杂质浓度小。

示例实施例涉及半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：半导体基底，包括有源区，有源区具有第一导电类型；反熔丝栅电极，位于半导体基底上；反熔丝栅极电介质层，位于反熔丝栅电极与基底之间；选择栅电极，位于半导体基底上，选择栅电极与反熔丝栅电极间隔开；以及选择栅极电介质层，位于选择栅电极与基底之间。

其它示例实施例的细节包括在描述和附图中。

附图说明

图1是大致示出根据本发明构思的示例实施例的半导体存储器装置的框图。

图2是根据本发明构思的实施例的反熔丝单元阵列的电路图。

图3是根据本发明构思的实施例的反熔丝单元阵列的平面图。