[发明专利]保护晶圆免受斜面污染的半导体方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

通过第一化学溶液涂覆晶圆的边缘部分，其中，所述第一化学溶液包括酸不稳定基团、溶解度控制单元和热酸产生剂的化学混合物；

固化所述第一化学溶液以在所述晶圆的边缘部分上形成第一保护层；

在所述晶圆的正面上涂覆光刻胶层；

通过第一去除溶液去除所述第一保护层；以及

对所述光刻胶层实施曝光工艺。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

涂覆所述晶圆的边缘部分包括：将所述第一化学溶液喷涂到所述晶圆的边缘部分上；以及

固化所述第一化学溶液包括：对所述第一化学溶液实施第一烘烤工艺。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，喷涂所述第一化学溶液包括：

使用喷头将所述第一化学溶液传输至所述晶圆的边缘部分，所述喷头配置为瞄准所述晶圆的边缘部分；以及

在传输所述第一化学溶液期间，同时旋转所述晶圆。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一烘烤工艺包括能够触发所述热酸产生剂以释放酸的烘烤温度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一去除溶液设计为溶解所述溶解度控制单元，其中，所述第一去除溶液包括70％的丙二醇甲醚(PGME)和30％的丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述溶解度控制单元选自内酯、酯、醚、酮以及它们的组合。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在对所述光刻胶层实施曝光工艺之后，通过包括化学混合物的第二化学溶液涂覆所述晶圆的边缘部分；以及

固化所述第二化学溶液以在所述晶圆的边缘部分上形成第二保护层。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：

对曝光的所述光刻胶层实施曝光后烘烤工艺；

显影曝光的所述光刻胶层以形成图案化的光刻胶层；以及

通过包括70％PGME和30％PGMEA的第二去除溶液去除所述第二保护层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，

当将所述晶圆设置在轨道工具的第一晶圆台上时，对曝光的所述光刻胶层实施显影；以及

之后，当将所述晶圆设置在所述轨道工具的第一晶圆台上时，实施所述第二保护层的去除。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，

当将所述晶圆设置在所述轨道工具的第二晶圆台上时，实施所述光刻胶层的涂覆；以及

之后，当将所述晶圆设置在所述轨道工具的第二晶圆台上时，实施所述第一保护层的去除。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第一保护层包括介于500埃至1000埃之间的范围内的厚度；以及

所述光刻胶层包括介于150埃和250埃之间的范围内的厚度。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述酸不稳定基团包括叔丁氧基羰基(tBOC)；以及

所述热酸产生剂选自NH₄⁺C₄F₉SO₃^-和NH₄⁺CF₃SO₃^-。

13.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述曝光工艺之后，对所述光刻胶层实施显影工艺以形成图案化的光刻胶层；以及

穿过图案化的光刻胶层的开口将制造工艺应用于所述晶圆的正面。