[发明专利]保护晶圆免受斜面污染的半导体方法

说明书

本发明实施例提供了一种方法，该方法包括：通过包括酸不稳定基团、溶解度控制单元和热酸产生剂的化学混合物的第一化学溶液涂覆晶圆的边缘部分；固化第一化学溶液以在晶圆的边缘部分上形成第一保护层；在晶圆的正面上涂覆光刻胶层；通过第一去除溶液去除第一保护层；并且对光刻胶层实施曝光工艺。本发明实施例涉及保护晶圆免受斜面污染的半导体方法。

技术领域

本发明实施例涉及保护晶圆免受斜面污染的半导体方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)产业经历了指数增长。IC材料和设计上的技术进步产生了一代又一代IC，其中，每一代IC都具有比前一代IC更小且更复杂的电路。在IC发展过程中，功能密度(即，每芯片面积上互连器件的数量)通常增大，而几何尺寸(即，使用制造工艺可以创建的最小的元件(或线))有所减小。该按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本而提供益处。这种按比例缩小工艺还增加了处理和制造IC的复杂性并且为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似发展。在一个实例中，实施先进的光刻图案化技术以在半导体晶圆上形成诸如栅电极和金属线的各个图案。光刻图案化技术包括在半导体晶圆的表面上涂覆光刻胶材料。

现有的诸如旋涂的涂覆光刻胶的方法在晶圆的所有区域(包括晶圆的边缘，甚至晶圆的背面)形成光刻胶材料。在涂覆工艺和后续的工艺(诸如显影)期间，位于晶圆的边缘和背面上的光刻胶材料导致各种与污染有关的问题和顾虑，诸如污染涂覆机卡盘或轨道。晶圆的边缘上的光刻胶材料的累积将干扰晶圆边缘上的图案稳定性，并且在光刻工艺期间导致错误的标准读数(leveling readings)。例如，存在于斜面(bevel)和背侧上的光刻胶材料不仅增加了高热点(hotspot)的可能性，而且还可能污染后续的处理工具。在其他实例中，现有的涂覆工艺在晶圆边缘和斜面上具有高的光刻胶残留，这可能导致光刻胶剥离并导致较差的产率。使用或提出了各种方法来解决诸如边缘珠状物冲洗(edge bead rinse)、背侧冲洗和额外的涂覆的这些问题。然而，不期望的隆起(hump)是由边缘珠状物冲洗和背侧冲洗产生的，这是后续工艺中潜在的缺陷来源。在其他情况下，额外的涂覆还将污染物引入到晶圆和光刻系统中，或者对生产量产生额外的效率和有效性考虑。因此，期望提供一个不存在上述缺点的系统和利用该系统的方法。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：通过第一化学溶液涂覆晶圆的边缘部分，其中，所述第一化学溶液包括酸不稳定基团、溶解度控制单元和热酸产生剂的化学混合物；固化所述第一化学溶液以在所述晶圆的边缘部分上形成第一保护层；在所述晶圆的正面上涂覆光刻胶层；通过第一去除溶液去除所述第一保护层；以及对所述光刻胶层实施曝光工艺。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种形成半导体器件的方法，包括：通过聚合物材料的第一保护层涂覆晶圆的正面的边缘部分；在所述晶圆的正面上涂覆光刻胶层；去除所述第一保护层；对所述光刻胶层实施曝光工艺；通过所述聚合物材料的第二保护层涂覆所述晶圆的正面的边缘部分；对所述光刻胶层实施曝光后烘烤工艺；对所述光刻胶层实施显影工艺以形成图案化的光刻胶层；以及去除所述第二保护层。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种形成半导体器件的方法，包括：通过第一化学溶液涂覆晶圆的边缘部分，其中，所述第一化学溶液包括酸不稳定基团、溶解度控制单元和热酸产生剂的化学混合物；固化所述第一化学溶液以在所述晶圆的边缘部分上形成第一保护层；在所述晶圆的正面上涂覆光刻胶层；通过包括丙二醇甲醚(PGME)和丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)的去除溶液去除所述第一保护层；以及之后，对所述光刻胶层实施曝光工艺。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1是根据一些实施例构造的用于制造集成电路的方法的流程图。