[发明专利]半固化片涨缩测量方法

权利要求书

1.一种半固化片涨缩测量方法，其特征在于，包括步骤：

1)提供至少四个金属片；

2)将多个所述金属片间隔附于半固化片上，并加热所述金属片以使所述金属片粘附于所述半固化片上；

3)在选定位置测量每两个所述金属片之间的间距，记为初始间距；

4)在所述半固化片上附上铜箔并进行层压处理；

5)剥去所述铜箔，并测量经层压处理后的所述半固化片上的每两个所述金属片的选定位置之间的间距，记为最终间距；

6)计算所述初始间距与所述最终间距之间的差值，记为所述半固化片的涨缩值。

2.根据权利要求1所述的半固化片涨缩测量方法，其特征在于，所述步骤1)及所述步骤2)之间还包括步骤：在半固化片上制作至少四个定位标示，使每个所述金属片分别粘附于对应的所述定位标示处。

3.根据权利要求2所述的半固化片涨缩测量方法，其特征在于，所述步骤在半固化片上制作至少四个定位标示具体包括步骤：

提供矩形半固化片；

沿所述半固化片的玻纤的经向与纬向制作至少四个定位标示。

4.根据权利要求2所述的半固化片涨缩测量方法，其特征在于，所述步骤在半固化片上制作至少四个定位标示具体包括步骤：

提供圆形半固化片；

沿所述半固化片的直径方向或圆周方向制作至少四个定位标示。

5.根据权利要求3或4所述的半固化片涨缩测量方法，其特征在于，所述步骤2)具体包括步骤：

提供相同大小的圆形金属片；

将每个所述金属片的圆心分别对准相对应的所述定位标示附于所述半固化片上，并加热所述金属片以使所述金属片粘附于所述定位标示处。

6.根据权利要求5所述的半固化片涨缩测量方法，其特征在于，所述金属片的直径为1mm-4mm。

7.根据权利要求1所述的半固化片涨缩测量方法，其特征在于，所述步骤3)具体包括步骤：

测量每两个所述金属片之间的间距的次数为三次以上，取所有的测量数据的平均值作为初始间距；

和/或所述步骤5)具体包括步骤：

测量经层压处理后的所述半固化片上的每两个所述金属片的选定位置之间的间距的次数为三次以上，取所有的测量数据的平均值作为最终间距。

8.根据权利要求1所述的半固化片涨缩测量方法，其特征在于，所述步骤6)具体包括步骤：

计算所述最终间距与所述初始间距之间的差值再比上所述初始间距，记为所述半固化片的涨缩值。

9.根据权利要求1所述的半固化片涨缩测量方法，其特征在于，重复所述步骤1)到所述步骤6)，以得到不同树脂体系及不同玻纤的半固化片的涨缩值。

10.根据权利要求9所述的半固化片涨缩测量方法，其特征在于，在PCB制作过程中根据不同所述半固化片的涨缩值选择半固化片。