[发明专利]LDMOS器件及其制备方法

权利要求书

1.一种LDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

获取形成有第一导电类型掺杂区、且在所述第一导电类型掺杂区内形成有顶埋层、在所述顶埋层上形成有场氧化绝缘层结构的晶圆；

在所述第一导电类型掺杂区上开设沟槽，所述沟槽延伸至所述顶埋层和场氧化绝缘层结构，从而将所述顶埋层去除掉一部分；

注入第二导电类型离子、在所述沟槽下方形成阱区；

在所述阱区内形成源极掺杂区；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型。

2.根据权利要求1所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述在所述第一导电类型掺杂区上开设沟槽的步骤，是以所述场氧化绝缘层结构为硬掩膜进行刻蚀。

3.根据权利要求1所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述在所述第一导电类型掺杂区上开设沟槽的步骤，形成的沟槽底部低于所述顶埋层的底部。

4.根据权利要求1、2或3所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述获取形成有第一导电类型掺杂区、且在所述第一导电类型掺杂区内形成有顶埋层、在所述顶埋层上形成有场氧化绝缘层结构的晶圆的步骤包括：

在所述第一导电类型掺杂区内形成所述顶埋层；

在所述顶埋层上形成所述场氧化绝缘层结构，将所述顶埋层部分覆盖，所述顶埋层在靠近所述沟槽的位置处有一截从所述场氧化绝缘层结构下方露出。

5.根据权利要求1、2或3所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述第一导电类型是N型，所述第二导电类型是P型。

6.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：

衬底；

第一导电类型掺杂区，设于所述衬底上，用于作为漂移区；

沟槽，开设于所述第一导电类型掺杂区上；

阱区，具有第二导电类型，设于所述沟槽下方；

源极掺杂区，设于所述阱区内；

顶埋层，具有第二导电类型，设于所述第一导电类型掺杂区内，一端延伸至所述沟槽；

场氧化绝缘层结构，设于所述顶埋层上方，一端延伸至所述沟槽；

所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型。

7.根据权利要求6所述的LDMOS器件，其特征在于，其特征在于，所述沟槽的底部低于所述顶埋层的底部。

8.根据权利要求6或7所述的LDMOS器件，其特征在于，还包括：

栅氧结构，设于所述沟槽的底部和所述沟槽靠近所述顶埋层的侧壁；所述栅氧结构覆盖沟槽的部分底部以及所述顶埋层的部分表面；

栅极多晶硅，设于所述栅氧结构上；以及

栅极引出端，与所述栅极多晶硅电连接。

9.根据权利要求6或7所述的LDMOS器件，其特征在于，所述源极掺杂区包括第一导电类型源极掺杂区和第二导电类型源极掺杂区，第一导电类型源极掺杂区所在位置离顶埋层更近；

所述的LDMOS器件还包括源极引出端，分别与所述第一导电类型源极掺杂区、第二导电类型源极掺杂区电连接。

10.根据权利要求9所述的LDMOS器件，其特征在于，还包括漏极掺杂区，设于所述第一导电类型掺杂区上，所述漏极掺杂区和所述源极掺杂区被所述场氧化绝缘层结构隔开，所述漏极掺杂区具有第一导电类型；以及，

漏极引出端，与所述漏极掺杂区电连接。