[发明专利]背照式图像传感器的制造方法及背照式图像传感器在审
| 申请号： | 201711282559.8 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN107910297A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 高俊九;李志伟;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 223300 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背照式 图像传感器 制造 方法 | ||
1.一种背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一衬底，并采用光刻工艺在所述衬底表面定义像素区域以及围绕所述像素区域的周边区域；
在所述衬底表面沉积金属材料，以在所述像素区域形成金属层、并在所述周边区域形成焊垫；
对所述金属层进行光刻处理，以在所述像素区域形成包括多个开口的隔离层。
2.根据权利要求1所述的背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，对所述金属层进行光刻处理，以在所述像素区域形成包括多个开口的隔离层的具体步骤包括：
在所述金属层与所述焊垫表面沉积绝缘层；
对所述金属层以及覆盖于所述金属层表面的绝缘层进行光刻处理，以在所述像素区域形成包括多个开口的隔离层。
3.根据权利要求2所述的背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，所述衬底包括硅基底、以及覆盖于所述硅基底表面的二氧化硅介质层，采用光刻工艺在所述衬底表面定义像素区域以及围绕所述像素区域的周边区域的具体步骤包括：
采用光刻工艺对与像素区域对应的所述二氧化硅介质层进行减薄处理。
4.根据权利要求3所述的背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，经减薄处理的二氧化硅介质层的剩余厚度为
5.根据权利要求1所述的背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，在所述衬底表面沉积金属材料的具体步骤包括：
在所述底表面沉积厚度为的金属材料。
6.根据权利要求1所述的背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，采用光刻工艺在所述衬底表面定义像素区域以及围绕所述像素区域的周边区域之前还包括如下步骤：
在所述衬底中形成硅通孔，使得所述硅通孔与周边区域对应。
7.根据权利要求2所述的背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，对所述金属层以及覆盖于所述金属层表面的绝缘层进行光刻处理，以在所述像素区域形成包括多个开口的隔离层之后还包括如下步骤：
在所述绝缘层表面沉积钝化层；
对与所述周边区域对应的绝缘层和钝化层进行光刻处理，以暴露所述焊垫。
8.根据权利要求1所述的背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，所述金属材料为铝。
9.一种背照式图像传感器，包括衬底，所述衬底包括像素区域以及围绕所述像素区域的周边区域，所述周边区域设置有焊垫，所述像素区域设置有包括多个开口的隔离层，其特征在于，所述焊垫与所述隔离层是通过金属材料在所述衬底表面的一次沉积过程中同时形成的。
10.根据权利要求9所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述金属材料为铝。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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