[发明专利]背照式图像传感器的制造方法及背照式图像传感器

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种背照式图像传感器的制造方法及背照式图像传感器。

背景技术

所谓图像传感器，是指将光信号转换为电信号的装置。按照其依据的原理不同，可以区分为CCD(Charge Coupled Device，电荷耦合元件)图像传感器以及CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体元件)图像传感器。由于CMOS图像传感器是采用传统的CMOS电路工艺制作，因此可将图像传感器以及其所需要的外围电路加以整合，从而使得CMOS图像传感器具有更广的应用前景。

按照接收光线的位置的不同，CMOS图像传感器可以分为前照式图像传感器和背照式图像传感器。其中，与前照式图像传感器相比，背照式图像传感器最大的优化之处就是将元件内部的结构改变了，即将感光层的元件入射光路调转方向，让光线能从背面直射进去，避免了在前照式图像传感器中，光线会受到透镜和光电二极管之间的结构和厚度的影响，提高了光线接收的效能。

在现有的背照式图像传感器中，入射光线穿过彩色滤光片之后，部分角度的光线会到达相邻的感光区，从而在相邻感光区的感光器件中产生了额外的光电信号，即发生了光线的串扰。为了防止光线之间的相互串扰，需要采用金属隔离层将透过不同颜色滤光片的光线相互隔离开。但是，现有的金属隔离层在制作过程中，需要沉积金属钨并进行五道光罩工艺，这不仅导致了制造背照式图像传感器成本的增加，而且增加了工艺复杂度，降低了生成效率。

因此，如何降低背照式传感器的制造成本，简化工艺制造步骤，提高生成效率，是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种背照式图像传感器的制造方法及背照式图像传感器，用以解决现有的背照式图像传感器制造成本高、制造工艺复杂的问题，以提高背照式图像传感器的生产效率。

为了解决上述问题，本发明提供了一种背照式图像传感器的制造方法，包括如下步骤：

提供一衬底，并采用光刻工艺在所述衬底表面定义像素区域以及围绕所述像素区域的周边区域；

在所述衬底表面沉积金属材料，以在所述像素区域形成金属层、并在所述周边区域形成焊垫；

对所述金属层进行光刻处理，以在所述像素区域形成包括多个开口的隔离层。

优选的，对所述金属层进行光刻处理，以在所述像素区域形成包括多个开口的隔离层的具体步骤包括：

在所述金属层与所述焊垫表面沉积绝缘层；

对所述金属层以及覆盖于所述金属层表面的绝缘层进行光刻处理，以在所述像素区域形成包括多个开口的隔离层。

优选的，所述衬底包括硅基底、以及覆盖于所述硅基底表面的二氧化硅介质层，采用光刻工艺在所述衬底表面定义像素区域以及围绕所述像素区域的周边区域的具体步骤包括：

采用光刻工艺对与像素区域对应的所述二氧化硅介质层进行减薄处理。

优选的，经减薄处理的二氧化硅介质层的剩余厚度为

优选的，在所述衬底表面沉积金属材料的具体步骤包括：

在所述底表面沉积厚度为的金属材料。

优选的，采用光刻工艺在所述衬底表面定义像素区域以及围绕所述像素区域的周边区域之前还包括如下步骤：

在所述衬底中形成硅通孔，使得所述硅通孔与周边区域对应。

优选的，对所述金属层以及覆盖于所述金属层表面的绝缘层进行光刻处理，以在所述像素区域形成包括多个开口的隔离层之后还包括如下步骤：

在所述绝缘层表面沉积钝化层；

对与所述周边区域对应的绝缘层和钝化层进行光刻处理，以暴露所述焊垫。

优选的，所述金属材料为铝。

为了解决上述问题，本发明还提供了一种背照式图像传感器，包括衬底，所述衬底包括像素区域以及围绕所述像素区域的周边区域，所述周边区域设置有焊垫，所述像素区域设置有包括多个开口的隔离层，所述焊垫与所述隔离层是通过金属材料在所述衬底表面的一次沉积过程中同时形成的。

优选的，所述金属材料为铝。

本发明提供的背照式图像传感器的制造方法及背照式图像传感器，焊垫与隔离层采用相同的材料制造而成，并且在一次金属沉积过程中同时形成，减少了背照式图像传感器的光刻次数，降低了背照式图像传感器制造成及工艺复杂度，提高了背照式图像传感器的生产效率。

附图说明

附图1是本发明第一具体实施方式中背照式图像传感器的制造方法的流程框图；