[发明专利]偏置电路

权利要求书

1.一种偏置电路，其特征在于,具有：

第一双极型晶体管，该第一双极型晶体管包括通过第一电流路径连接至电源端子的第一集电极端子，接地的第一发射极端子，及第一基极端子；

第二双极型晶体管，该第二双极型晶体管包括通过第二电流路径连接至恒压电源或恒流电源的第二集电极端子，接地的第二发射极端子，及连接至所述第一基极端子的第二基极端子；

第三双极型晶体管，该第三双极型晶体管包括第三基极端子，通过所述第一电流路径连接至所述电源端子的第三集电极端子，通过所述第一电流路径连接至所述第一集电极端子且向放大器提供偏置信号的第三发射极端子；

第四双极型晶体管，该第四双极型晶体管包括连接至所述第三基极端子的第四基极端子，通过所述第二电流路径连接至所述恒压电源或所述恒流电源的第四集电极端子，及通过所述第二电流路径连接至所述第二集电极端子的第四发射极端子，且该第四双极型晶体管中所述第四集电极端子与所述第四基极端子相连接；以及

滤波电路，该滤波电路通过所述第一基极端子连接在所述第一集电极端子与接地之间，且该滤波电路具有使被输入至所述放大器的RF信号的高频分量衰减的频率特性，以抑制因被输入至所述第一集电极端子的RF信号的高频分量的影响而导致所述第一基极端子的电位发生变动的情况。

2.如权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，

所述滤波电路是低通滤波器。

3.如权利要求2所述的偏置电路，其特征在于，

所述低通滤波器具有电阻元件及电容元件。

4.一种偏置电路，其特征在于，具有：

第一双极型晶体管，该第一双极型晶体管包括通过第一电流路径连接至电源端子的第一集电极端子，接地的第一发射极端子，及第一基极端子；

第二双极型晶体管，该第二双极型晶体管包括通过第二电流路径连接至恒压电源或恒流电源的第二集电极端子，接地的第二发射极端子，及连接至所述第一基极端子的第二基极端子；

第一场效应晶体管，该第一场效应晶体管包括第第一栅极端子，通过所述第一电流路径连接至所述电源端子的第一漏极端子，通过所述第一电流路径连接至所述第一集电极端子且向放大器提供偏置信号的第一源极端子；

第二场效应晶体管，该第二场效应晶体管包括连接至所述第一栅极端子的第二栅极端子，通过所述第二电流路径连接至所述恒压电源或所述恒流电源的第二漏极端子，及通过所述第二电流路径连接至所述第二集电极端子的第二源极端子，且该第二场效应晶体管中所述第二漏极端子与所述第二栅极端子相连接；以及

滤波电路，该滤波电路通过所述第一基极端子连接在所述第一集电极端子与接地之间，且该滤波电路具有使被输入至所述放大器的RF信号的高频分量衰减的频率特性，以抑制因被输入至所述第一集电极端子的RF信号的高频分量的影响而导致所述第一基极端子的电位发生变动的情况。

5.如权利要求4所述的偏置电路，其特征在于，

所述滤波电路是低通滤波器。

6.如权利要求5所述的偏置电路，其特征在于，

所述低通滤波器具有电阻元件及电容元件。