[发明专利]偏置电路

说明书

本发明提出一种改善放大器的非线性工作的偏置电路。偏置电路(10)具有双极型晶体管(Q1、Q2、Q3、Q4)以及滤波电路(40)。双极型晶体管(Q3)向放大器(50)提供偏置信号。滤波电路(40)通过双极型晶体管(Q1)的基极端子(B1)连接在双极型晶体管(Q1)的集电极端子(C1)与接地之间。滤波电路(40)具有使被输入至放大器(50)的RF信号的高频分量衰减的频率特性。

技术领域

本发明涉及一种偏置电路。

背景技术

在移动电话等移动通信终端中，使用对发送给基站的RF(Radio Frequency：射频信号)信号进行放大的功率放大器。功率放大器具有对RF信号进行放大的晶体管，以及对晶体管的偏置点进行控制的偏置电路。例如美国专利公开第2015/0349715号公报中所记载的那样，已知有使用电流镜电路来作为这种偏置电路。另外，作为这种晶体管，已知有异质结双极晶体管(Heterojuntion Bipolar Transistor)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利公开第2015/0349715号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

然而，异质结双极晶体管由于热电阻较大，随着RF信号的输出增大而发热，因而会导致互导降低。于是，随着互导的降低，导致增益降低。若RF信号的输出进一步增大，则由于异质结双极晶体管的偏置点的上升，增益会从降低趋势转变成增加趋势。如上所述，由于中低输出区域中增益的变化，导致线性恶化。由于这样的线性的恶化会使RF信号产生失真，因此，尤其对于使用线性调制方式的通信方式而言是不希望的。

因而，本发明的课题在于，提出一种改善放大器的非线性工作的偏置电路。

用于解决技术问题的技术手段

为了解决上述问题，本发明所涉及的偏置电路具有：(i)第一双极型晶体管，该第一双极型晶体管包括通过第一电流路径连接至电源端子的第一集电极端子，接地的第一发射极端子，及第一基极端子；(ii)第二双极型晶体管，该第二双极型晶体管包括通过第二电流路径连接至恒压电源或恒流电源的第二集电极端子，接地的第二发射极端子，及连接至第一基极端子的第二基极端子；(iii)第三双极型晶体管，该第三双极型晶体管包括第三基极端子，通过第一电流路径连接至电源端子的第三集电极端子，通过第一电流路径连接至第一集电极端子且向放大器提供偏置信号的第三发射极端子；(iv)第四双极型晶体管，该第四双极型晶体管包括连接至第三基极端子的第四基极端子，通过第二电流路径连接至恒压电源或恒流电源的第四集电极端子，及通过第二电流路径连接至第二集电极端子的第四发射极端子，且该第四双极型晶体管中第四集电极端子与第四基极端子相连接；以及(v)滤波电路，该滤波电路通过第一基极端子连接在第一集电极端子与接地之间，且该滤波电路具有使被输入至放大器的RF信号的高频分量衰减的频率特性。

发明效果

根据本发明的偏置电路，能够改善放大器的非线性工作。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1所涉及的功率放大器的电路结构的说明图。

图2是表示实施方式1及比较例所涉及的偏置电路的双极型晶体管的偏置电压与放大器的输出之间的关系的曲线图。

图3是表示实施方式1及比较例所涉及的偏置电路的双极型晶体管的偏置电压与放大器的输出之间的关系的曲线图。

图4是表示实施方式1及比较例所涉及的放大器的增益与输出之间的关系的曲线图。

图5是表示本发明的实施方式2所涉及的功率放大器的电路结构的说明图。

图6是表示比较例所涉及的功率放大器的电路结构的说明图。