[发明专利]沟槽弯曲度测量方法及装置、缺陷数量预测方法及装置

权利要求书

1.一种沟槽弯曲度测量方法，其特征在于，包括：

获取待测区域的形貌影像，所述待测区域内开设有沟槽；

根据所述形貌影像，确定所述待测区域内沟槽的粗糙度，其中，所述粗糙度包括边缘粗糙度和线宽粗糙度；

根据以下公式确定所述待测区域的沟槽弯曲度：

其中，Wiggling表示待测区域的沟槽弯曲度，LER表示边缘粗糙度，LWR表示线宽粗糙度。

2.根据权利要求1所述的沟槽弯曲度测量方法，其特征在于，所述获取待测区域的形貌影像，包括：

采用扫描电子显微镜扫描待测对象的待测区域，得到待测区域的形貌影像。

3.根据权利要求2所述的沟槽弯曲度测量方法，其特征在于，所述采用扫描电子显微镜扫描待测对象的待测区域，包括：

采用观察型扫描电子显微镜扫描待测对象的待测区域。

4.根据权利要求3所述的沟槽弯曲度测量方法，其特征在于，所述采用观察型扫描电子显微镜扫描待测对象的待测区域，包括：

采用观察型扫描电子显微镜，按照由左至右的方式扫描扫描待测对象的待测区域。

5.一种沟槽弯曲度测量装置，其特征在于，包括：

形貌影像获取模块，用于获取待测区域的形貌影像，所述待测区域内开设有沟槽；

粗糙度确定模块，用于根据所述形貌影像，确定所述待测区域内沟槽的粗糙度，其中，所述粗糙度包括边缘粗糙度和线宽粗糙度；

弯曲度计算模块，用于根据所述粗糙度确定所述待测区域的沟槽弯曲度；

其中，所述弯曲度计算模块包括：

弯曲度计算子单元，用于根据以下公式确定所述待测区域的沟槽弯曲度：

其中，Wiggling表示待测区域的沟槽弯曲度，LER表示边缘粗糙度，LWR表示线宽粗糙度。

6.一种缺陷数量预测方法，其特征在于，包括：

在已刻蚀沟槽的待测对象中，选定多个待测区域；

按照权利要求1至4任一项所述的沟槽弯曲度测量方法，分别测量各所述待测区域的沟槽弯曲度；

根据多个所述待测区域的沟槽弯曲度，预测根据所述待测对象加工得到的半导体器件的缺陷数量。

7.根据权利要求6所述的缺陷数量预测方法，其特征在于，还包括：

判断所述缺陷数量是否大于预设阈值条件；

若大于，则发出表示所述待测对象不适宜继续加工的提示。

8.一种缺陷数量预测装置，其特征在于，包括：

待测区域选择模块，用于在已刻蚀沟槽的待测对象中，选定多个待测区域，其中，所述待测对象包括半导体器件半成品；

弯曲度测量模块，用于按照权利要求1至4任一项所述的沟槽弯曲度测量方法，分别测量各所述待测区域的沟槽弯曲度；

缺陷数量预测模块，用于根据多个所述待测区域的沟槽弯曲度，预测根据所述待测对象加工得到的半导体器件的缺陷数量。