[发明专利]沟槽弯曲度测量方法及装置、缺陷数量预测方法及装置

说明书

本发明提供一种沟槽弯曲度测量方法及装置，以及一种缺陷数量预测方法及装置。其中，该沟槽弯曲度测量方法，包括：获取待测区域的形貌影像，根据所述形貌影像确定所述待测区域内沟槽的粗糙度，根据所述粗糙度确定所述待测区域的沟槽弯曲度。相较于现有技术，本发明利用形貌影像实现了对沟槽弯曲度的自动化定量测量，准确度更高。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种沟槽弯曲度测量方法及装置，以及一种缺陷数量预测方法及装置。

背景技术

刻蚀，是半导体制造工艺、微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种重要步骤，其本质是一种图形化处理步骤，具体而言，刻蚀是通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，沟槽的刻蚀是刻蚀工艺中极为常见的应用。为了提高半导体器件的集成度，业界已提出了多种双重图形工艺，其中，自对准双重图形(Self-AlignedDouble Patterning，SADP)工艺即为其中的一种，自对准双重图形工艺也称为自对准双沟槽刻蚀工艺，图1(a)、图1(b)和图1(c)示出了三维存储器制程中自对准双沟槽刻蚀工艺的关键节点，分别为主轴刻蚀结果的示意图、侧墙沉积结果的示意图和沟槽刻蚀结果的示意图，其中，主轴刻蚀和沟槽刻蚀本质上都是沟槽的刻蚀。

半导体器件对产品结构的加工精度及准确度要求极为严格，加工过程中任何尺寸或结构上的偏差都有可能造成产品的失效或良率的降低，例如，在三维NAND存储器的制程中，在自对准双沟槽刻蚀阶段，主轴刻蚀或沟槽刻蚀中任意一个步骤刻蚀得到的沟槽弯曲严重，都有可能使得最终的产品由于线槽互相弯曲导致铜线短路。因此，刻蚀后得到的沟槽的弯曲程度是对刻蚀质量的重要评价标准之一。

现有技术中，对于刻蚀沟槽弯曲程度的度量主要是通过拍摄沟槽的形貌影像后依靠肉眼观测，无法进行定量评价，误差较大、准确性低。

鉴于上述问题，目前迫切需要提供一种量化的沟槽弯曲度测量方法，以准确测量沟槽的弯曲度。

发明内容

针对现有技术中的缺陷，本发明提供一种沟槽弯曲度测量方法及装置，以及一种缺陷数量预测方法及装置，以准确对刻蚀沟槽的弯曲度进行定量测量，进而准确地评判刻蚀质量，以及对缺陷数量进行预测，实现对加工质量的准确预估。

第一方面，本发明提供的一种沟槽弯曲度测量方法，包括：

获取待测区域的形貌影像，所述待测区域内开设有沟槽；

根据所述形貌影像，确定所述待测区域内沟槽的粗糙度；

根据所述粗糙度确定所述待测区域的沟槽弯曲度。

在本发明提供的另一个实施方式中，所述获取待测区域的形貌影像，包括：

采用扫描电子显微镜扫描待测对象的待测区域，得到待测区域的形貌影像。

在本发明提供的又一个实施方式中，所述采用扫描电子显微镜扫描待测对象的待测区域，包括：

采用观察型扫描电子显微镜扫描待测对象的待测区域。

在本发明提供的又一个实施方式中，所述采用观察型扫描电子显微镜扫描待测对象的待测区域，包括：

采用观察型扫描电子显微镜，按照由左至右的方式扫描扫描待测对象的待测区域。

在本发明提供的又一个实施方式中，所述粗糙度包括边缘粗糙度和线宽粗糙度；所述根据所述粗糙度确定所述待测区域的沟槽弯曲度，包括：

根据所述边缘粗糙度和所述线宽粗糙度确定所述待测区域的沟槽弯曲度。

在本发明提供的又一个实施方式中，所述根据所述边缘粗糙度和所述线宽粗糙度确定所述待测区域的沟槽弯曲度，包括：

根据以下公式确定所述待测区域的沟槽弯曲度：